若將反應(yīng)氣體導(dǎo)入蒸發(fā)空間，便可在工件表面沉積金屬化合物涂層，氣相沉積設(shè)備公司，這就是反應(yīng)性離子鍍。由于采用等離子活化，工件只需在較低溫度甚至在室溫下進(jìn)行鍍膜，完全保證零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序進(jìn)行。如沉積TiN或TiC時(shí)，氣相沉積設(shè)備廠家，基體溫度可以在150-600℃范圍內(nèi)選擇，溫度高時(shí)涂層的硬度高，與基體的結(jié)合力也高?；w溫度可根據(jù)基體材料及其回火溫度選擇，如基體為高速鋼，可選擇560℃，這樣，對(duì)于經(jīng)淬火、回火并加工到尺寸的高精度模具加工，無(wú)需擔(dān)心基體硬度降低及變形問(wèn)題。另外，離子鍍的沉積速度較其他氣相沉積方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂層，一般只需要幾十分鐘。

化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)

化學(xué)氣相沉積工藝是，將加熱的模具暴露在發(fā)生反應(yīng)的混合氣氛（真空度≤1Pa）中，使氣體與模具表面發(fā)生反應(yīng)，在模具表面上生成一層薄的固相沉積物，如金屬碳化物、氮化物、硼化物等。這里有兩個(gè)關(guān)鍵因素：

一是作為初始混合氣體氣相與基體固相界面的作用，也就是說(shuō)，各種初始?xì)怏w之間在界面上的反應(yīng)來(lái)產(chǎn)生沉積，或是通過(guò)氣相的一個(gè)組分與基體表面之間的反應(yīng)來(lái)產(chǎn)生沉積。

二是沉積反應(yīng)必須在一定的能量條件下進(jìn)行。一般情況下，產(chǎn)生氣相沉積的化學(xué)反應(yīng)必須有足夠高的溫度作為條件，在有些情況下，可以采用等離子體或激光輔助作為條件，降低沉積反應(yīng)的溫度。

氣相沉積設(shè)備

PCVD工藝具有廣泛的用途。

（1）超硬膜的應(yīng)用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形復(fù)雜、面積大的工件上獲得超硬膜，沉積速率可達(dá)4～10μm/h，氣相沉積設(shè)備價(jià)格，硬度大于2000HV，繞鍍性好，工件不需旋轉(zhuǎn)就可得到均勻的鍍層。大量應(yīng)用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半導(dǎo)體元件上盡緣膜的形成過(guò)往半導(dǎo)體元件上的盡緣膜大多用SiO2，氣相沉積設(shè)備，現(xiàn)在用SiN4+H2用PCVD法來(lái)形成Si3N4，Si3N4的盡緣性、性、耐酸性、耐堿性，比SiO2強(qiáng)，從電性能及其摻雜效率來(lái)講都是的，特別是當(dāng)前的高速元件GaAs盡緣膜的形成，高溫處理是不可能的，只能在低溫下用等離子法進(jìn)行沉積。

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