CVD 制備銥高溫涂層人們之所以對(duì)作涂層材料感興趣是由于這類金屬優(yōu)良的性能。銥具有較強(qiáng)的能力和較高的熔點(diǎn)而受到重視， 是一種較理想的高溫涂層材料 。

20 世紀(jì) 60 年代以來，世界航空航天技術(shù)飛速發(fā)展，一些高熔點(diǎn)材料(如石墨碳和鎢鉬鉭鈮等難熔金屬)被大量使用，小型氣相沉積設(shè)備，但這些材料的一個(gè)共同的致命缺點(diǎn)是能力差。

60 年代美國材料實(shí)驗(yàn)室(AFML)對(duì)石墨碳的銥保護(hù)涂層進(jìn)行過大量的研究，采用了多種成型方法制備銥涂層 ，其中包括化學(xué)氣相沉積法 。雖然沒有制備出質(zhì)量令人滿意的厚銥涂層， 但仍認(rèn)為 CVD是一種非常有希望且值得進(jìn)一步研究的方法。

化學(xué)氣相沉積就是，利用氣態(tài)物質(zhì)在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)沉積物的過程。其過程如下：

（1）反應(yīng)氣體向工件表面擴(kuò)散并吸附。

（2）吸附于工件表面的各種物質(zhì)發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)。

（3）生成物質(zhì)點(diǎn)聚集成晶核并長大。

（4）表面化學(xué)反應(yīng)中產(chǎn)生的氣體產(chǎn)物脫離工件表面返回氣相。

（5）沉積層與基體的界面發(fā)生元素的相互擴(kuò)散，而形成鍍層。

CVD法是，將工件置于有氫氣保護(hù)的爐內(nèi)，加熱到800℃以上高溫，向爐內(nèi)通入反應(yīng)氣體，使之在爐內(nèi)熱解，化合成新的化合物沉積在工件表面。在模具的應(yīng)用中，其覆膜厚度一般為6-10μm。

氣相沉積設(shè)備

工藝特點(diǎn)

（1）廣泛應(yīng)用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機(jī)涂層材料等。

（2）在產(chǎn)量方面，從單件到大批量皆可。

（3）有質(zhì)量優(yōu)勢(shì)，沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，新北氣相沉積設(shè)備，均勻性，氣相沉積設(shè)備廠商，重復(fù)性好，臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。

（4）工具涂層的生產(chǎn)效率不如PVD，具體取決于特定技術(shù)要求和輔助工藝。

化學(xué)氣相沉積曾是真空技術(shù)廣泛用于陶瓷沉積的種技術(shù)，特別是對(duì)工具涂層更是這樣。

鍍膜機(jī)工藝在太陽能運(yùn)用方面的運(yùn)用當(dāng)需求有用地運(yùn)用太陽熱能時(shí)，就要思考選用對(duì)太陽光線吸收較多、而對(duì)熱輻射等所導(dǎo)致的損耗較小的吸收面。太陽光譜的峰值大約在波長為2-20μm之間的紅外波段。

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