化學(xué)氣相沉積（Chemical VaporDeition，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD），也即化學(xué)氣相鍍或熱化學(xué)鍍或熱解鍍或燃?xì)忮?，屬于一種薄膜技術(shù)。常見(jiàn)的化學(xué)氣相沉積工藝包括常壓化學(xué)氣相沉積（NPCVD），小型氣相沉積設(shè)備，低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學(xué)氣相沉積（APCVD）。

鍍膜機(jī)工藝在平板顯現(xiàn)器中的運(yùn)用一切各類(lèi)平板顯現(xiàn)器都要用到各品種型的薄膜，并且簡(jiǎn)直一切類(lèi)型的平板顯現(xiàn)器材都需求運(yùn)用ITO膜，以滿(mǎn)意通明電器的請(qǐng)求。能夠毫不夸張的說(shuō)：沒(méi)有薄膜技能就沒(méi)有平板顯現(xiàn)器材。

微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MW-PCVD）

微波等離子體的特點(diǎn)是能量大，氣相沉積設(shè)備，活性強(qiáng)。激發(fā)的亞穩(wěn)態(tài)原子多，化學(xué)反應(yīng)輕易進(jìn)行，是一種很有發(fā)展前途、用途廣泛的新工藝，氣相沉積設(shè)備價(jià)格，微波頻率為2.45GHz，氣相沉積設(shè)備廠(chǎng)商，

微波放電與直流輝光放電相比具有設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，輕易起輝，耦合效率高，工作穩(wěn)定，無(wú)氣體污染及電極腐蝕，工作頻帶寬等優(yōu)點(diǎn)，裝置主要由微波發(fā)生器、環(huán)形器、定向耦合器、表面波導(dǎo)放電部分及沉積室組成。

關(guān)于濺射工藝，在使用磁控濺射工藝的同時(shí)施加幾種材料的精細(xì)層。該真空鍍膜工藝的原材料采用靶材的形式。在濺射過(guò)程中，將磁控管放置在靶材附近。然后，在真空室中引入惰性氣體，該惰性氣體通過(guò)沿磁控管的方向在靶和基板之間施加高電壓而加速，從而從靶中釋放出原子尺寸的顆粒。這些粒子是由于氣體離子傳遞的動(dòng)能而投射出來(lái)的，這些離子已經(jīng)到達(dá)目標(biāo)并到達(dá)基板并形成固體薄膜。該技術(shù)可以將表面上先前存在的污染物從表面上清除掉，這是通過(guò)反轉(zhuǎn)基材和目標(biāo)之間的電壓極性

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