在真空度較高的環(huán)境下，通過加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料以原子、分子或離子的形式逸出沉積物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉積形成薄膜的技術(shù)。.PVD大家族里主要有三位成員：真空蒸發(fā)沉積技術(shù)（蒸鍍）；濺射沉積技術(shù)；離化PVD技術(shù)。

蒸鍍是在真空環(huán)境下，以各種加熱方式賦予待蒸發(fā)源材料以熱量，使源材料物質(zhì)獲得所需的蒸汽壓而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)，所發(fā)射的氣相蒸發(fā)物質(zhì)在具有適當(dāng)溫度的基片上不斷沉積而形成薄膜的沉積技術(shù)。

不銹鋼基材真空物理氣相沉積鍍工藝，新北氣相沉積設(shè)備，生產(chǎn)“黃金卷”

這種鋼卷以不銹鋼為基材，氣相沉積設(shè)備廠家，通過PVD（真空物理氣相沉積鍍工藝）制造成所需顏色，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨、耐腐蝕、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤(rùn)滑、超導(dǎo)等特性的膜層。日常生活中以手表的外殼、表帶為常見，另外就是家電、裝飾材料等。

氣相沉積設(shè)備PCVD技術(shù)具有沉積溫度低，沉積速率快，繞鍍性好，薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好，設(shè)備操縱維護(hù)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，用PCVD法調(diào)節(jié)工藝參數(shù)方便靈活，輕易調(diào)整和控制薄膜厚度和成份組成結(jié)構(gòu)，沉積出多層復(fù)合膜及多層梯度復(fù)合膜等優(yōu)質(zhì)膜，同時(shí)，小型氣相沉積設(shè)備，PCVD法還拓展了新的低溫沉積領(lǐng)域，例如，用PCVD法可將TiN的反應(yīng)溫度由CVD法的1000℃降到200～500℃，氣相沉積設(shè)備廠商，用PCVD法制備納米陶瓷薄膜的特點(diǎn)是：產(chǎn)品的楊氏模量、抗壓強(qiáng)度和硬度都很高，耐磨性好，化學(xué)性能穩(wěn)定，性和腐蝕性好，有較高的高溫強(qiáng)度。

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