一個(gè)真正的單層，即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進(jìn)了化學(xué)氣相沉積(CVD)生長(zhǎng)方法，消除了石墨烯生長(zhǎng)在銅箔上的所有碳雜質(zhì)。這種均勻“”的單層單晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射電鏡成像和光學(xué)設(shè)備的超薄支撐材料。也可作為一種合適的石墨烯，以實(shí)現(xiàn)非常均勻的功能化，這將促使推動(dòng)許多其他應(yīng)用，氣相沉積設(shè)備廠家，特別是用于各種類型的傳感器。

化學(xué)氣相沉積就是，利用氣態(tài)物質(zhì)在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，小型氣相沉積設(shè)備，生成固態(tài)沉積物的過(guò)程。其過(guò)程如下：

（1）反應(yīng)氣體向工件表面擴(kuò)散并吸附。

（2）吸附于工件表面的各種物質(zhì)發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)。

（3）生成物質(zhì)點(diǎn)聚集成晶核并長(zhǎng)大。

（4）表面化學(xué)反應(yīng)中產(chǎn)生的氣體產(chǎn)物脫離工件表面返回氣相。

（5）沉積層與基體的界面發(fā)生元素的相互擴(kuò)散，而形成鍍層。

CVD法是，將工件置于有氫氣保護(hù)的爐內(nèi)，加熱到800℃以上高溫，向爐內(nèi)通入反應(yīng)氣體，使之在爐內(nèi)熱解，化合成新的化合物沉積在工件表面。在模具的應(yīng)用中，氣相沉積設(shè)備價(jià)格，其覆膜厚度一般為6-10μm。

在真空度較高的環(huán)境下，通過(guò)加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料以原子、分子或離子的形式逸出沉積物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉積形成薄膜的技術(shù)。.PVD大家族里主要有三位成員：真空蒸發(fā)沉積技術(shù)（蒸鍍）；濺射沉積技術(shù)；離化PVD技術(shù)。

蒸鍍是在真空環(huán)境下，氣相沉積設(shè)備，以各種加熱方式賦予待蒸發(fā)源材料以熱量，使源材料物質(zhì)獲得所需的蒸汽壓而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)，所發(fā)射的氣相蒸發(fā)物質(zhì)在具有適當(dāng)溫度的基片上不斷沉積而形成薄膜的沉積技術(shù)。

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