在真空度較高的環(huán)境下，通過(guò)加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料以原子、分子或離子的形式逸出沉積物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉積形成薄膜的技術(shù)。.PVD大家族里主要有三位成員：真空蒸發(fā)沉積技術(shù)（蒸鍍）；濺射沉積技術(shù)；離化PVD技術(shù)。

蒸鍍是在真空環(huán)境下，以各種加熱方式賦予待蒸發(fā)源材料以熱量，使源材料物質(zhì)獲得所需的蒸汽壓而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)，所發(fā)射的氣相蒸發(fā)物質(zhì)在具有適當(dāng)溫度的基片上不斷沉積而形成薄膜的沉積技術(shù)。

（1）化學(xué)氣相沉積（CVD）反應(yīng)溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），反應(yīng)溫度在500~800℃。若通過(guò)氣相反應(yīng)的能量，氣相沉積設(shè)備價(jià)格，還可把反應(yīng)溫度降低。

“輔助”CVD的工藝較多，主要有：

①電子輔助CVD（EACVD）（也稱為電子束輔助CVD，電子增強(qiáng)CVD，或電子束誘導(dǎo)CVD），涂層的形成在電子作用下得到改進(jìn)。

②激光輔助CVD（LACVD)，也稱為激光CVD或光子輔助CVD，氣相沉積設(shè)備公司，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進(jìn)。

③ 熱絲CVD，也稱為熱CVD，一根熱絲放在被鍍物件附近進(jìn)行沉積。

④金屬有機(jī)化合物CVD（MOCVD），是在一種有機(jī)金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時(shí)是穩(wěn)定的，但在高溫下分解）中進(jìn)行沉積。

離子鍍，是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)離子化，在氣體離子或蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用下，中國(guó)臺(tái)灣氣相沉積設(shè)備，把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物蒸鍍?cè)诠ぜ稀ｋx子鍍把輝光放電、等離子技術(shù)與真空蒸鍍技術(shù)結(jié)合在一起，不僅明顯地提高了鍍層的各種性能，而且，大大擴(kuò)充了鍍膜技術(shù)的應(yīng)用范圍。

離子鍍除兼有真空濺射的優(yōu)點(diǎn)外，還具有膜層的附著力強(qiáng)、繞射性好、可鍍材料廣泛等優(yōu)點(diǎn)。例如，氣相沉積設(shè)備廠商，利用離子鍍技術(shù)可以在金屬、塑料、陶瓷、玻璃、紙張等非金屬材料上，涂覆具有不同性能的單一鍍層、合金鍍層、化合物鍍層及各種復(fù)合鍍層，而且沉積速度快（可達(dá)755m/min），鍍前清洗工序簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境無(wú)污染，因此，近年來(lái)在國(guó)內(nèi)外得到了迅速的發(fā)展。

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