漢高 LOCTITE ECCOBOND FP4451（舊稱 HYSOL FP4451）是微電子封裝經(jīng)典單組份熱固化環(huán)氧圍堰筑壩（Dam）膠，F(xiàn)P4451TD為高窄圍堰專用衍生型號(hào)。專門用于 Dam&Fill 封裝工藝：先在裸芯片外圍點(diǎn)膠構(gòu)筑一圈擋膠圍堰（Dam），固化后再點(diǎn)入FP4450填充膠（Fill）；圍堰約束填充膠流動(dòng)范圍，避免填充膠溢出污染金線、焊盤、周邊器件，保護(hù)鍵合引線不被膠體拉扯損傷。配方高填充二氧化硅，強(qiáng)觸變膏體，點(diǎn)膠后壩體立面不易塌陷，可做細(xì)小、高窄圍壩；極低可萃取離子含量，避免芯片電極腐蝕；Tg高達(dá) 150?155℃，熱穩(wěn)定性youxiu，冷熱循環(huán)下壩體不易開裂分層；黑色膠體同時(shí)具備遮光效果，適合圖像傳感器模組；廣泛用于COB 攝像模組、SIP 多芯片、BGA 裸芯片、存儲(chǔ) IC、車載電子、射頻通信模組大批量封裝生產(chǎn)。

核心產(chǎn)品特性1、強(qiáng)觸變，圍堰壩體不易坍塌高觸變環(huán)氧膏體，點(diǎn)膠成型后垂直立面不易流淌塌陷；FP4451TD優(yōu)化流變，更適合窄縫高壩，適配細(xì)針頭精密自動(dòng)點(diǎn)膠，實(shí)現(xiàn)微小芯片周邊精細(xì)圍堰成型。

2、超高純度低離子，保護(hù)裸芯片與金線嚴(yán)格控制可萃取氯離子、鈉離子、鉀離子，雜質(zhì) ppm級(jí)別，防止裸芯片鋁電極電化學(xué)腐蝕；對(duì)鍵合金線無(wú)侵蝕，滿足存儲(chǔ)芯片、車載模組高可靠要求。

3、Dam&Fill 成套工藝，管控填充膠流動(dòng)作為圍堰擋壩材料，與 ECCOBOND FP4450填充膠配套使用；圍堰限定填充膠流動(dòng)邊界，防止溢膠爬至焊盤、金線區(qū)域，大幅降低引線拉扯、短路不良，是 COB裸芯片主流成熟方案。

4、優(yōu)異熱機(jī)械與耐化學(xué)性能Tg150?155℃，CTE低，冷熱沖擊下壩體抗開裂、抗分層；固化后耐電子清洗劑、溶劑，可做清洗工序；?65~150℃寬溫域，滿足消費(fèi)電子、工業(yè)、車載環(huán)境可靠性。

5、工藝窗口友好，兩種版本選型?FP4451：標(biāo)準(zhǔn)版本，粘度更高，通用圍堰；?FP4451TD：高窄壩版本，更長(zhǎng)室溫鍋壽命，適合自動(dòng)化產(chǎn)線頻繁生產(chǎn)；整套材料可分步固化，也可和填充膠一起共固化，簡(jiǎn)化產(chǎn)線工序，可提供完整TDS、MSDS 資料。

典型應(yīng)用場(chǎng)景COB 攝像頭、人臉識(shí)別圖像傳感器模組圍堰遮光擋膠；SIP、BGA、存儲(chǔ) IC、IC 存儲(chǔ)卡裸芯片Dam&Fill 封裝；車載 BMS、雷達(dá)主控裸芯片邊界隔離；5G射頻通信模組圍壩；工控混合集成電路裸芯片防護(hù)；只做圍堰擋壩，不可單獨(dú)當(dāng)做填充灌封膠使用，填充需搭配FP4450。

工藝使用說明物料?40℃冷凍儲(chǔ)存，使用前充分回溫至室溫，防止水汽吸潮；建議基板預(yù)熱至 80℃提升點(diǎn)膠成型；點(diǎn)膠完成盡量30min內(nèi)進(jìn)入烘箱固化，減少水汽吸附；嚴(yán)格執(zhí)行固化溫度曲線，保證壩體完全固化；圍堰壩體高度、寬度結(jié)合填充膠厚度做設(shè)計(jì)；不可與其他環(huán)氧壩膠混料。