物理氣相沉積（PVD）工藝已經(jīng)有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請(qǐng)了專利。術(shù)語(yǔ)“物理氣相沉積”僅在60年代出現(xiàn)。當(dāng)時(shí)，需要通過發(fā)展眾所周知的技術(shù)來發(fā)展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術(shù)，磁場(chǎng)，新北鍍膜設(shè)備，氣體化學(xué)，熱蒸發(fā)，弓形和電源控制，如Powell的書中詳細(xì)描述的。在過去的30年中，真空鍍膜設(shè)備廠，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術(shù)，例如直流（DC）二極管，真空鍍膜設(shè)備，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過程在基本理解上存在一些困難，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結(jié)構(gòu)控制以及低溫下的材料沉積。

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù)，它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或(及)化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層，從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運(yùn)->沉積。它的主要特點(diǎn)在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體，納米鍍膜設(shè)備，在輸運(yùn)時(shí)都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進(jìn)行遷移，終到達(dá)工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

濺射鍍膜

濺射鍍膜，是不采用蒸發(fā)技術(shù)的物理氣相沉積方法。施鍍時(shí)，將工作室抽成真空，充入氫氣作為工作氣體，并保持其壓力為0.13-1.33Pa，以沉積物質(zhì)作為靶（陰極）并加上數(shù)百至數(shù)千伏的負(fù)壓，以工件為陽(yáng)極，兩側(cè)燈絲帶負(fù)壓（-30-100v）。加熱燈絲至1700℃左右時(shí)，燈絲發(fā)射出的電子使氫氣發(fā)生輝光放電，產(chǎn)生出氫離子H+，H+被加速轟擊靶材，使靶材迸發(fā)出原子或分子濺射到工件表面上，形成沉積層。

濺射法可用于沉積各種導(dǎo)電材料，包括高熔點(diǎn)金屬及化合物。如果用TiC作靶材，便可以在工件上直接沉積TiC涂層。當(dāng)然，也可以用金屬Ti作靶，再導(dǎo)入反應(yīng)氣體，進(jìn)行反應(yīng)性濺射，濺射涂層均勻但沉積速度慢，不適于沉積105mm以上厚度的涂層。濺射可使基體溫度升高到500-600℃，因此，只適用于在此溫度下具有二次硬化的鋼制模具加工。

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