物理氣相沉積（PVD）工藝已經(jīng)有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請了專利。術語“物理氣相沉積”僅在60年代出現(xiàn)。當時，需要通過發(fā)展眾所周知的技術來發(fā)展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術，磁場，東莞氣相沉積設備，氣體化學，熱蒸發(fā)，弓形和電源控制，如Powell的書中詳細描述的。在過去的30年中，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術，例如直流（DC）二極管，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過程在基本理解上存在一些困難，氣相沉積設備價格，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結構控制以及低溫下的材料沉積。

氣相沉積設備

PCVD工藝具有廣泛的用途。

（1）超硬膜的應用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形復雜、面積大的工件上獲得超硬膜，沉積速率可達4～10μm/h，硬度大于2000HV，繞鍍性好，工件不需旋轉(zhuǎn)就可得到均勻的鍍層。大量應用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半導體元件上盡緣膜的形成過往半導體元件上的盡緣膜大多用SiO2，現(xiàn)在用SiN4+H2用PCVD法來形成Si3N4，Si3N4的盡緣性、性、耐酸性、耐堿性，比SiO2強，從電性能及其摻雜效率來講都是的，特別是當前的高速元件GaAs盡緣膜的形成，高溫處理是不可能的，只能在低溫下用等離子法進行沉積。

（1）化學氣相沉積（CVD）反應溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積），反應溫度在500~800℃。若通過氣相反應的能量，小型氣相沉積設備，還可把反應溫度降低。

“輔助”CVD的工藝較多，主要有：

①電子輔助CVD（EACVD）（也稱為電子束輔助CVD，電子增強CVD，或電子束誘導CVD），涂層的形成在電子作用下得到改進。

②激光輔助CVD（LACVD)，有機金屬化學氣相沉積設備，也稱為激光CVD或光子輔助CVD，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進。

③ 熱絲CVD，也稱為熱CVD，一根熱絲放在被鍍物件附近進行沉積。

④金屬有機化合物CVD（MOCVD），是在一種有機金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時是穩(wěn)定的，但在高溫下分解）中進行沉積。

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