在過去10年里，微機電系統(tǒng)(MEMS)大量地“借用”那些起初是為軍方高可靠性應用而開發(fā)的封裝技術。雖然這類封裝在MEMS中的表現良好，但與之相關的成本卻高達單個MEMS器件價格;70%?，F在，隨著晶圓級封裝(WLP)和微流體技術的進步，MEMS封裝技術也在不斷演化發(fā)展。

    在MEMS生產制造過程中，晶圓制造占成本比例低，反倒是封測成本高，約占50%，主要在晶圓端MEMS只需采用0.35~0.5μm等成熟制程，倒裝封裝，不需進入更高階制程，不過封裝端的精密度卻遠高于半導體封裝，測試時間也較長，因此成本較高。

MEMS封裝技術順勢而生，它的制備工藝和設備已相當成熟，MEMS器件的應用并不多，Fbar封裝，沒有大范圍進行推廣。因為MEMS器件的封裝技術沒有達到很高的水準，所封裝的器件并沒有很好的質量。MEMS器件封裝技術的不成熟在很大程度上面限制MEMS商業(yè)的發(fā)展。

 MEMS微機電系統(tǒng)，是比較獨立的智能系統(tǒng)，封裝，尺寸很小，只有幾毫米甚至更小，由三大部分組成，傳感器、動作器和微能源。MEMS設計包含多方面學科，主要是物理學、化學、材料工程、電子工程等一系列學科，微機電系統(tǒng)應用于多方面領域，汽車電子領域、計算機領域、消費電子領域、網絡通信類這四類是Zui常見的領域。MEMS工藝與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，MEMS借鑒了IC工藝，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學機械拋光工藝等，對于毫米甚至納米級別的加工技術，傳統(tǒng)的IC工藝是無法實現的，必須得依靠微加工，進行精細的加工，能達到想要的結構和功能。微加工技術包括硅的體微加工技術、表面微加工技術。體加工技術是指沿著佳襯底的厚度方向對硅襯底進行刻蝕的工藝，是實現三維結構的重要方法。表面微加工是采用薄膜沉積、光刻以及刻蝕工藝，通過在犧牲層薄膜上沉積結構層薄膜，然后去除犧牲層釋放結構層實現可動結構。

當力作用于硅晶體時，晶體的晶格產生變形，使載流子從一個能谷向另一個能谷散射，引起載流子的遷移率發(fā)生變化，擾動了載流子縱向和橫向的平均量，從而使硅的電阻率發(fā)生變化。這種變化隨晶體的取向不同而異，射頻前端封裝，因此硅的壓阻效應與晶體的取向有關。硅的壓阻效應不同于金屬應變計，前者電阻隨壓力的變化主要取決于電阻率的變化，后者電阻的變化則主要取決于幾何尺寸的變化(應變)，而且前者的靈敏度比后者大50～100倍。

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