奉賢區(qū)回收模塊收購(gòu)集成電路量大
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奉賢區(qū)回收模塊收購(gòu)集成電路量大
芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的
中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來(lái)把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的
結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。
27、LQFP(lowuad flatpackage)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP
外形規(guī)格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。
封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開(kāi)發(fā)的一種封裝，
在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160 引腳(0.65mm
中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。
29、MCM(multi-chip module)
多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分
為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。
MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。
MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使
用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM－L。
MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。
布線密謀在三種組件中是Zui高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見(jiàn)SOP和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱
CC0805JRNPO9BN680
TOP244GN-TL，，LNK306G，，LNK500G，，TNY280GN-TL，，TOP253PN
RC0402FR-0718RL
AX6901GRA
SII1161CTU
RC0402FR-076K04L
RC0402FR-0718K2L
RC0805FR-0718RL
RC0603JR-072K4L
C0402C0G101J500NTB
TMS320F28069PNT
AD637JQ
RC0805JR-0718RL
SC1H335M05011RT5
TLV70028DDCT
BLM18PG121SN1D
E2SB26.0000F11EG1M
CD4066BE
BZX55C7V5，F(xiàn)AIRCHILD
SI4386DYT1E3
IMBD4148-GS08
RC0402FR-0717K8L
奉賢區(qū)回收模塊收購(gòu)集成電路量大
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