降低ITO薄膜電阻率的新沉積方法——HDAP法，是利用高密度的電弧等離子體（HDAP）放電轟擊ITO靶材，使ITO材料蒸發(fā)，沉積到基體材料上形成ITO薄膜。由于高能量電弧離子的作用導致ITO粒子中的In、Sn達到完全離化，從而增強沉積時的反應活性，達到減少晶體結(jié)構(gòu)缺陷，降低電阻率的目的。利用同樣成分的ITO材料，其它工藝條件保持一樣，并在同樣的基片溫度下，分別進行“DC磁控濺射”、“DC+RF磁控濺射”、“HDAP法制備ITO薄膜”的實驗。實驗結(jié)果可以看出，利用HDAP法能獲得電阻率較低的ITO薄膜，尤其是在基片溫度不能太高的材料上制備ITO薄膜時，使用HDAP法制備ITO薄膜可以得到較理想的ITO薄膜?；瑴囟鹊?50℃左右時，這三種沉積方法對ITO薄膜電阻率的影響較小。