1950年，第二種透明半導體氧化物In2O3首被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用，并具有廣闊的應(yīng)用前景。目前制備ITO薄膜的方法有很多種，如低電壓濺射、直流磁控濺射和HDAP法。直流磁控濺射，兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場強度對濺射電壓的影響當磁場強度為300G時，濺射電壓約為-350v；但當磁場強度升高到1000G時，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場強度越高、濺射電壓越低，但磁場強度為1000G以上時，磁場強度對濺射電壓的影響就不明顯了。因此為了降低ITO薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強濺射陰極的磁場強度來實現(xiàn)。

 RF+DC電源使用對濺射電壓的影響：濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大，那么造成這種結(jié)構(gòu)缺陷的幾率就越大，產(chǎn)生晶體結(jié)構(gòu)缺陷也越嚴重，從而導致了ITO薄膜的電阻率上升。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結(jié)構(gòu)和濺射直流電源，同時將一套3KW的射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。當磁場強度為1000G，直流電源的功率為1200W時，通過改變射頻電源的功率，經(jīng)大量的工藝實驗得出：“當射頻功率為600W時，ITO靶的濺射電壓可以降到-110V”的結(jié)論。因此。RF+DC新型電源的應(yīng)用和特殊濺射陰極結(jié)構(gòu)的設(shè)計也能有效的降低ITO薄膜的濺射電壓，從而達到降低薄膜電阻率的目的。