半導(dǎo)體壓縮空氣遵循 ISO 8573-1:2010 與 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)鍵限值如下。含油量需達(dá)到 Class0，即總含油量≤0.01mg/m3，包含液態(tài)油、油霧與油蒸氣，這是零油污染的底線，任何油殘留都會(huì)吸附晶圓、污染光刻膠或腐蝕精密設(shè)備。含水量以壓力露點(diǎn)衡量，常規(guī)工藝要求≤-40℃，3nm及以下先進(jìn)制程需≤-70℃，避免冷凝水導(dǎo)致電路短路、光刻膠性能下降或設(shè)備銹蝕。顆粒物需符合 ISO 8573-2 Class1，即≥0.1μm 顆?！?00 粒 /m3；光刻機(jī)等精密場(chǎng)景需達(dá)到 ISO 14644-1 Class 5，即≥0.1μm顆?！?,520 粒 /m3，防止顆粒劃傷晶圓或污染光學(xué)元件?；瘜W(xué)純度需滿足 SEMI F58-0701，總含硫量≤0.1 ppm且無硅氧烷污染；部分工藝要求總有機(jī)碳（TOC）≤50 ppb，CO?、NO?等≤1ppm，避免分子級(jí)污染影響薄膜沉積與蝕刻精度。微生物方面，無菌封裝等環(huán)節(jié)需通過 HEPA過濾與紫外殺菌控制微生物濃度，防止生物污染影響產(chǎn)品良率。壓力與流量需穩(wěn)定在 0.5–0.7MPa，波動(dòng)范圍≤±2%，滿足氣動(dòng)元件、晶圓傳輸與光刻機(jī)等設(shè)備的精度要求，避免壓力波動(dòng)導(dǎo)致動(dòng)作失準(zhǔn)或振動(dòng)影響曝光質(zhì)量。