在半導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)中，氬氣普遍采用超高純規(guī)格，憑借的化學(xué)惰性，成為芯片制造、元器件加工、面板及微電子生產(chǎn)里的關(guān)鍵氣體。在單晶硅原材料制備階段，直拉式單晶硅爐的高溫爐膛內(nèi)部會(huì)持續(xù)通入氬氣，隔絕氧氣與水汽，避免熔融硅原料、石墨熱場(chǎng)構(gòu)件發(fā)生氧化和碳化，穩(wěn)定高溫生產(chǎn)環(huán)境，保障單晶硅的晶格質(zhì)量與整體純度，后續(xù)硅片退火、高溫改性熱處理工序，也會(huì)依靠氬氣營(yíng)造純凈惰性氛圍，消除晶片內(nèi)部應(yīng)力缺陷。

在晶圓核心制程里，物理氣相沉積工藝是氬氣消耗大的環(huán)節(jié)，氬氣經(jīng)高壓電離形成等離子體，借助離子物理轟擊作用擊打金屬靶材，讓靶材原子均勻析出并附著在晶圓表面，完成金屬導(dǎo)線、阻擋層、電極薄膜的精密沉積，是芯片金屬化制程的基礎(chǔ)保障?；瘜W(xué)氣相沉積等薄膜工藝中，氬氣常作為稀釋氣與載氣，平衡反應(yīng)氣體濃度、穩(wěn)定腔體氣壓與氣流分布，弱化劇烈化學(xué)反應(yīng)帶來(lái)的工藝波動(dòng)，提升薄膜生長(zhǎng)的均勻性。

干法刻蝕工序中，氬氣會(huì)搭配氟基、氯基等功能性蝕刻氣體混合使用，依靠氬離子的物理轟擊能力輔助化學(xué)刻蝕，加快刻蝕速率，優(yōu)化芯片微觀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形貌與尺寸精度，同時(shí)調(diào)節(jié)腔體內(nèi)等離子體密度，降低高能反應(yīng)對(duì)晶圓基底的額外損傷，適配高精度芯片微納加工需求。各類真空工藝腔體在換片、設(shè)備檢修、批次切換前后，都會(huì)使用氬氣完成空氣置換與腔體吹掃，徹底排出內(nèi)部殘留的氧氣、濕氣與微量雜質(zhì)，防止精密腔體部件腐蝕和晶圓表面污染，維持制程潔凈度與生產(chǎn)良率。

在半導(dǎo)體封裝環(huán)節(jié)，芯片引線鍵合、功率器件焊接、封裝回流焊等工序，均會(huì)以氬氣作為焊接保護(hù)氣，杜絕金屬焊盤、引腳在高溫焊接時(shí)出現(xiàn)氧化、發(fā)黃、虛焊問題，提升元器件焊接強(qiáng)度與長(zhǎng)期穩(wěn)定性。除此之外，氬氣還可用于離子注入設(shè)備的腔體穩(wěn)壓、微電子器件燒結(jié)、精密零部件真空焊接等場(chǎng)景。