先進制程適配AlSiTi三元合金靶

先進制程適配AlSiTi三元合金靶

成分比例：Al 90%-Si 7%-Ti 3% Al 75%-Si 15%-Ti 10% Al 65%-Si 10%-Ti25%；任意成分定制

常用規(guī)格：Φ≥20mm，50-100mm，＞100mm；T2-10mm；公差±0.1mm; 尺寸靈活可定制

產(chǎn)品及公司優(yōu)勢

高溫燒結(jié)、純度高、致密度高、晶粒細小、光潔度高、濺射均勻、尺寸靈活、任意成分定制、品控嚴格、交期迅速

在生產(chǎn)陶瓷靶、難熔金屬靶、多元金屬靶上占有優(yōu)勢，通過SPS高溫燒結(jié)，純度高達5N，晶?？煽兀“胁娜债a(chǎn)能＞25塊，尺寸靈活，交付迅速，滿足科研實驗、半導體芯片高端制造的嚴苛要求，同步提供靶材實驗服務，7-15天快速交付，加速客戶產(chǎn)品迭代與性能驗證，持續(xù)為全球靶材行業(yè)賦能。

采用的電子束熔煉（EB）和真空自耗熔煉（VAR）工藝，實現(xiàn)高熔點金屬的精準提純，支持超大型靶材錠坯（單重500kg-2t）定制開發(fā)，純度達99.99%-99.999%。

檢測中心配備日本日立掃描電鏡（5萬倍）、ICP光譜儀等檢測設備，對材料成分、晶粒度、致密度等20余項指標全流程監(jiān)控，嚴格把控品質(zhì)。

系列產(chǎn)品

金屬靶、陶瓷靶、二元合金靶、多元合金靶、高熵合金靶、高純金屬蒸發(fā)料、化合物顆粒、高純靶材坯料，靶材用噴涂粉等。

產(chǎn)品應用

適用工藝：直流磁控濺射、反應濺射（氮化）、電子束蒸鍍、電弧離子鍍

通用鍍膜：顯示面板電極層、半導體器件鈍化層或阻擋層

耐高溫應用：半導體器件鈍化層或阻擋層

高硬度涂層：光伏背板或海洋環(huán)境防護鍍層

先進制程適配：芯片金屬化層沉積

產(chǎn)品成分產(chǎn)品成分

產(chǎn)品成分