SU8加工平臺

SU8模具制備方法

1）基底準(zhǔn)備

SU8模具，通常采用硅襯底，即使晶片是新的，也必須在接收 SU-8光刻膠之前準(zhǔn)備好。如果在無塵室，可以使用溶液（H2SO4+H2O2）清洗，PDMS模具，在無塵室外可以用bing酮。在任何情況下，您都必須加熱襯底以去除表面上的所有水分。我們建議在120°C 的烤箱中加熱 15 分鐘。這個(gè)加熱步驟非常重要，因?yàn)樗梢宰?SU-8 更好地粘附在基材上。

純硅模具介紹純硅模具是制備高深寬比微通道的理想選擇，利用硅的干法刻蝕技術(shù)，可以輕松實(shí)現(xiàn)深寬比zui高達(dá)25:1的微通道結(jié)構(gòu)，而且線條寬度可控制在2微米以上，精度誤差僅在±1微米范圍內(nèi)。然而，硅表面通常具有強(qiáng)烈的親水性，這可能導(dǎo)致PDMS芯片在脫模時(shí)黏附在硅表面，制造過程中的一大挑戰(zhàn)。為解決這個(gè)問題，通常需要對硅表面進(jìn)行疏水修飾，使硅表面變得疏水，確保PDMS芯片能夠輕松從硅模具上脫離，而不受親水性的干擾（具體疏水解決方案可咨詢銷售）

環(huán)氧樹脂SU-8曝光后烘烤（光刻膠的二次烘烤）

第二次光刻膠烘烤稱為 PEB（曝光后烘烤）。顧名思義，它是在紫外線照射后完成的。紫外線照射ji活了 SU-8光刻膠中的光敏成分，但它需要能量來繼續(xù)反應(yīng)；這種烘焙帶來了能量。至于軟烘烤，有問題的一點(diǎn)是 SU-8光刻膠內(nèi)部的機(jī)械應(yīng)力，因此必須稍微加熱和冷卻以盡可能減少這種應(yīng)力。

加熱模式與軟烘烤相同，第yi個(gè)平臺是 65°C，然后第二個(gè)平臺是 95°C，每個(gè)平臺的時(shí)間取決于 SU-8光刻膠層的厚度。

在繼續(xù)該過程之前，請確保您的晶圓處于室溫。

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