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刻蝕工藝

刻蝕目的

將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈,避免 PN 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。

刻蝕原理

采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng),采用高頻輝光放電反應(yīng),使反應(yīng)氣體成活性粒子,如原子或各種游離基,這些活性粒子擴散到硅片邊緣,在那里與硅進(jìn)行反應(yīng),形成揮發(fā)性生成物而被去除。

化學(xué)公式: CF 4 +SIO 2 =SIF 4 +CO 2

工藝流程

預(yù)抽,主抽,送氣,輝光,抽空,清洗,預(yù)抽,主抽   ,充氣。

影響因素

1. 射頻功率

射頻功率過高:等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷,導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)(耗盡層)造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。

射頻功率太低:會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻,從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足,導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。

2. 時間

刻蝕時間過長:刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大,時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū),從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。

刻蝕時間過短:刻蝕不充分,沒有把邊緣鱗去干凈, PN 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。

4.   壓力

壓力越大,氣體含量越少,參與反應(yīng)的氣體也越多,刻蝕也越充份。






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6、加工工藝小圓圈該怎樣判?

人們檢測處未作退級解決,假如發(fā)覺小圓圈的半經(jīng)超出1.6mm立即向主管意見反饋或告之品管部,PECVD處會立即將高純石墨舟換下來

7、隱裂片怎樣造成?怎樣判?

大部分是原料的難題,另一個是影片在外擴散高溫反映后內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生撞擊。在多芯片里,一些隱裂片裂縫并不是很長,能夠按文檔規(guī)定作需切角。

8、空氣氧化的電池片怎樣判?

如果不是將其風(fēng)干,依據(jù)空氣氧化后得色調(diào)判。(淡黃色)

9、怎樣了解跑模產(chǎn)生在哪兒一條?

以料漿的色調(diào)來判,第二條豫第三道的料漿是不會改變的,各自是鋁漿和銀漿,色調(diào)各自為深灰色和乳白色。一層有將會是銀漿或銀鋁漿,銀鋁漿是灰白,溫州組件回收,另一個,要看漏漿的部位。

10、對斷開未超出2mm的電池片,判斷不相同? 先依照文檔判斷是不是超出規(guī)定的總數(shù),如果不是,按斷開的顯著水平及部位。






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電池片組件回收

(1)剛開始環(huán)節(jié),層壓機的溫度維持在較低溫度,EVA熔融,有優(yōu)良的流通性,可是化學(xué)交聯(lián)速率比較慢。進(jìn)口真空泵對下室真空包裝,因此部件內(nèi)部的汽體快速而且非常容易的被吸走。上室維持真空泵,部件沒受工作壓力。

(2)EVA干固環(huán)節(jié)。層壓機溫度上升到1個較高溫度,EVA產(chǎn)生迅速的化學(xué)交聯(lián)反映。下室繼續(xù)保持真空包裝,立即排出來干固全過程造成的汽體。一起上室打氣,上下左右室中間的工作壓力差使層壓機中的硫化橡膠層對部件施壓。

(3)完畢環(huán)節(jié)。EVA干固進(jìn)行。起先上室真空包裝,移去工作壓力,隨后下室打氣,打開表蓋。針對BIPV部件,兩面全是夾層玻璃,而且為了實現(xiàn)工程建筑規(guī)定,片式玻璃的厚度乃至超過5mm?;镜慕^緣層背膜-EVA-電池片-EVA-夾層玻璃5層封裝加工工藝,此環(huán)節(jié)壓層出現(xiàn)的難題較多。封裝出現(xiàn)的汽泡,挪動等狀況,依據(jù)EVA熔化干固基本原理,探求合適封裝的與眾不同加工工藝。依據(jù)具體生產(chǎn)制造必須和必須品牌EVA的干固特點按給出方式提升壓層主要參數(shù)。





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法定代表人
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注冊資本
200

主營產(chǎn)品

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經(jīng)營范圍

研發(fā)、銷售:太陽能光伏電池、硅片、電子材料、電子產(chǎn)品、五金電器、光伏原材料、光伏輔料、晶體材料、光伏發(fā)電系統(tǒng)、金屬材料;光伏設(shè)備的銷售、回收及售后服務(wù);廢舊物資回收(除危險廢物、醫(yī)療廢物);自營和代理各類商品及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)(國家限定企業(yè)經(jīng)營或禁止進(jìn)出口的商品及技術(shù)除外)。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動)

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