掃描電子顯微鏡SEM分析

掃描電子顯微鏡SEM分析原理：用電子技術檢測高能電子束與樣品作用時產生二次電子、背散射電子、吸收電子、X射線等并放大成象。譜圖的表示方法：背散射象、二次電子象、吸收電流象、元素的線分布和面分布等。提供的信息：斷口形貌、表面顯微結構、薄膜內部的顯微結構、微區(qū)元素分析與定量元素分析等。

掃描電子顯微鏡SEM應用范圍：

1、材料表面形貌分析，掃描電子顯微鏡廠家，微區(qū)形貌觀察

2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析

3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析

掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡單，掃描電子顯微鏡銷售，不需要包埋和切片。

電子束撞擊樣品的三個信號

當電子束撞擊樣品時，隨著電子進一步穿透到樣品內部，會發(fā)生多種相互作用。在掃描電鏡中有三個重要的信號，分別是背散射電子、二次電子、X射線，如圖 1所示。關于不同的信號來自于哪個深度，與高能量信號相比，樣品深處產生的低能量信號到達表面的概率更低。也就說，較低能量的信號更容易被樣品吸收，而較高能量的信號更容易被散射。

二次電子能量相對較低（通常 <50eV），雖然在整個相互作用區(qū)中都可產生二次電子，但只有樣品表面的二次電子才可以逸出材料表面，從而被檢測到，這種特性使得二次電子可以提供更好的形貌信息成像。背散射電子來自從樣品中散射逸出的入射電子。這種散射過程高度依賴于電子運動路徑上所遇到的原子。這意味著，可以從背散射電子信號中觀察出成分稱度差異。背散射電子的能量比二次電子高一個數量級，可以提供樣品更深處的成像信息。

能譜中的峰高與樣品中元素的含量相關。以氟化鍶(SrF2)為例。根據化學計量比，預估氟峰應該是鍶峰的兩倍，北京掃描電子顯微鏡，而實際上，鍶峰是氟峰的兩倍。因此，為了提供的定量結果，軟件必須考慮以下幾個因素進行修正，這個過程被稱為算法修正。

對于大范圍的掃描分析，每個像素的分析時間可能需要長達一秒鐘，因此對大范圍內所有像素進行分析非常耗時。所以在面掃模式下，通常會在準確性和速度之間尋求平衡。電鏡的軟件可以確保重疊的信號被正確地解卷積計算。

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