由離子束清洗（IONBEAM CLEANING）+磁控濺射(SPUTTER)組成工藝系統(tǒng)。

系列設(shè)備主要是（集）高能粒子束清洗技術(shù)（IONBEAM）和磁控濺射(SPUTTER)兩種技術(shù)融合一體，可以適應(yīng)廣泛鍍膜靶材，無論是金屬還是介質(zhì)、化合材料都可以利用濺射工藝進(jìn)行鍍膜及成膜，使膜層附著力、致密度、重復(fù)度及顏色一致性好等特點(diǎn)?？慑冎芓iN、TiC、TiCN、TiAlN、CrN、Cu、Au、金剛石膜（DLC）、裝飾膜等非金屬及其化合物的膜層和復(fù)合膜層。采用可編控制器PLC+觸摸屏HMI組合電氣控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制。

主要特點(diǎn)：

1、具備加熱、離子束濺射清洗和磁控濺射沉積金屬層的能力；

2、腔室圓周壁安裝磁控濺射源、離子束清洗源和加熱器，底部布置高真空抽氣系統(tǒng)。頂部有旋轉(zhuǎn)基片架驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和真空度測(cè)量系統(tǒng) ；

3、設(shè)備采用全自動(dòng)控制系統(tǒng)，能控制工藝溫度、膜層厚度，能對(duì)微孔內(nèi)壁鍍膜；

4、腔室內(nèi)設(shè)置多路偏壓板，每路偏壓能夠獨(dú)立調(diào)節(jié)，自由控制通斷以及接地設(shè)計(jì)。偏壓由基片架轉(zhuǎn)軸引入腔室；

5、行星轉(zhuǎn)架底座為公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，而偏壓板底座和基片（電路板）底座為公轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)；

6、突出安全性設(shè)計(jì)：設(shè)備中外露部分，包括真空腔室、抽氣系統(tǒng)、離子源背部等能觸摸到的表面，全部接地保護(hù)；內(nèi)部帶電部分也有明顯警示標(biāo)志。設(shè)備控制軟件設(shè)有自動(dòng)保護(hù)功能。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

1、 離子束清洗源產(chǎn)生的高能Ar離子,清洗轟擊基底表面，可以提高膜層的粘附性；

2、 專利的布?xì)庀到y(tǒng)，氣體流量均利用質(zhì)量流量計(jì)分別進(jìn)行定量控制；

3、溫度監(jiān)控采用熱偶絲方式，腔室壁設(shè)置加熱器，通過溫度傳感器進(jìn)行加熱控制。真空室外壁設(shè)置水冷，能確保高加熱溫度條件下控制外壁溫度不高于40攝氏度；

4、設(shè)備鍍膜源的安裝法蘭采用合頁(yè)鉸鏈設(shè)計(jì)，換靶方便，離子源和加熱器維護(hù)操作簡(jiǎn)單。所有的磁控濺射離子源、離子束清洗源的安裝法蘭采用相同尺寸，互換性強(qiáng)，工藝靈活性高；

5、 設(shè)備采用工控機(jī)+PLC控制方式，完全自動(dòng)化界面控制，具備工藝配方自動(dòng)運(yùn)行能力。