1.硅片，電池片，缺角片，碎片，藍膜片，擴散片，拋光片。

2.原生多晶，鍋底料，復(fù)拉料，p/n型單晶邊皮，多晶邊皮。

3.降級組件，二手組件， 客退組件，庫存組件，。

4.重摻料，硅粉等，各種硅料。7廢硅片回收拋光片檢測

  包括目檢、幾何尺寸檢測和熱氧化層錯檢測等。目檢是在正面高強度光或大面積散射光照射下目測拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。幾何尺寸的檢測包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測。厚度為硅片中心上、下表面兩個對應(yīng)點之間的距離；總厚度變化為同一硅片上厚度zui大值與zui小值之差；彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的zui大值與zui小值之差；平整度指硅片表面上zui高點與zui低點的高度差，用總指示讀數(shù)表征。硅片的熱氧化層錯檢測是指硅拋光片表面的機械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過程中均會產(chǎn)生熱氧化層錯，經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后，在金相顯微鏡下觀測熱氧化層錯的密度，以此鑒定硅片表面的質(zhì)量。