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為z軸單向磁場條件下z軸磁阻傳感器感應磁場強度隨非磁性轉輪旋轉角度的變化圖。可以看出,在0°-360°旋轉角度范圍內(nèi),z軸磁阻傳感器信號為周期變化且周期為72°。本實施例中選擇在0°-360°范圍內(nèi)有5個第二軟磁扇區(qū)4,跨度為72°,因此假設非磁性轉輪旋轉頻率為f,則z軸磁阻傳感器頻率為5*f。


如圖9所示,為磁阻傳感器的白噪聲頻譜圖。由于白噪聲具有1/f特征,即在低頻140時磁阻傳感器噪聲較大,而在高頻150以上時磁阻傳感器噪聲大幅降低,因此通過引入非磁性轉輪以及在其上設置4n個第一軟磁扇區(qū)和m個第二軟磁扇區(qū),分別將測量磁場hx、hy和hz調(diào)制到4n*f和m*f頻率,從而達到降低白噪聲和提高信噪比的目的。


本發(fā)明實施例中,旋轉碟式磁場強探頭包括非磁性轉輪、4n個第一軟磁扇區(qū)、m個第二軟磁扇區(qū)、參考信號發(fā)生器以及x軸、y軸和z軸磁阻傳感器,第一軟磁扇區(qū)和第二軟磁扇區(qū)均位于非磁性轉輪上,x軸、y軸和z軸磁阻傳感器位于非磁性轉輪的上方或下方位置處。工作時,非磁性轉輪以頻率f繞z軸旋轉,外磁場經(jīng)第一軟磁扇區(qū)調(diào)制成頻率為4n×f的敏感磁場分量hx和hy,外磁場還經(jīng)第二軟磁扇區(qū)調(diào)制成頻率為m×f的敏感磁場分量hz,該三個敏感磁場分量hx、hy和hz分別經(jīng)過該x軸、y軸和z軸磁阻傳感器輸出對應的測量信號,參考信號發(fā)生器輸出頻率為4n×f的第一參考信號和m×f的第二參考信號,第一參考信號、第二參考信號和測量信號經(jīng)外部處理電路解調(diào)輸出磁場值hx、hy和hz,以此對三維磁場信號的高信噪比進行測量。本發(fā)明實施例中,旋轉蝶式磁場強探頭將靜止磁場調(diào)制成高頻磁場,在高頻磁場中進行測量,這樣可以有效克服隧道磁阻(tmr)磁阻傳感器直流漂移引起的噪聲,消除直流offset的影響,大大降低tmr磁阻傳感器使用的噪聲。并且該測量結構制作方法簡單,只要在磁阻傳感器外加一個旋轉軟磁探頭即可實現(xiàn),降低了測量結構的復雜性和尺寸,該測量結構對于地磁場的監(jiān)控及信噪比的提高具有使用價值。


示例性的,在上述技術方案的基礎上,結合圖1~圖4所示可選非磁性轉輪2具有4n個第一光入射孔10和m個第二光入射孔11,4n個第一光入射孔10的柱坐標分別為(r(r=re1),α(α=θ&θ+90°/n&θ+2×90°/n…&θ+(i-1)×90°/n…&θ+(4n-1)×90°/n),z[z0,z0+th1]),m個第二光入射孔11的柱坐標分別為(r(r=re2),α(α=θ1&θ1+360°/m&θ1+2×360°/m…&θ1+(i-1)×360°/m…&θ1+(m-1)×360°/m),z[z0,z0+th1]),其中,r1<re1,r1<re2;

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截止閥 W03-8076Z-13MS


止回閥 W03-8036W-13MS


截止閥 W03-8076Z-13MS


止回閥 W03-8036W-13MS


疏水閥 21/2" B09-5076Z-58US


疏水閥 21/2" B09-8076Z-58US


截止閥 2”B08-2074B-06TY


截止閥 11/2”B07-2074B-06TY

參考信號發(fā)生器包括:第一發(fā)光元件161、第二發(fā)光元件162、第一光探測器14、第二光探測器15、第一邏輯觸發(fā)電路和第二邏輯觸發(fā)電路,第一發(fā)光元件161位于第一光入射孔10上方或者下方位置處,第二發(fā)光元件162位于第二光入射孔11上方或者下方位置處,第一光探測器14位于第一光入射孔10與第一發(fā)光元件161相對的另一側位置處,第二光探測器15位于第二光入射孔11與第二發(fā)光元件162相對的另一側位置處;


工作時,非磁性轉輪2以頻率f繞z軸旋轉,當?shù)谝还馊肷淇?0和第二光入射孔11依次正對第一發(fā)光元件161和第二發(fā)光元件162時,第一光探測器14觸發(fā)第一邏輯觸發(fā)電路輸出頻率4n×f的第一參考信號以及第二光探測器15觸發(fā)第二邏輯觸發(fā)電路輸出頻率m×f的第二參考信號。本實施例沿用上述附圖和附圖標記。


本實施例中,設定n=2,則8個第一光入射孔10貫穿非磁性轉輪2的上下表面,分別為10(1)~10(8),原始狀態(tài)下xy坐標第一象限內(nèi)緊鄰+x軸的一第一光入射孔10或者與+x軸交疊的一第一光入射孔10標記為10(1),剩余7個逆時針依次標記為10(2)~10(8),可以理解,隨著非磁性轉輪2的旋轉,10(1)會旋轉至不同位置。該8個第一光入射孔10的柱坐標分別為(r(r=re1),α(α=θ),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+45°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+90°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+135°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+180°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+225°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+270°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+315°),z[z0,z0+th1])。


本實施例中,設定m=5,則5個第二光入射孔11貫穿非磁性轉輪2的上下表面,分別為11(1)~11(5),原始狀態(tài)下xy坐標第一象限內(nèi)緊鄰+x軸的一第二光入射孔11或者與+x軸交疊的一第二光入射孔11標記為11(1),剩余4個逆時針依次標記為11(2)~11(5),可以理解,隨著非磁性轉輪2的旋轉,11(1)會旋轉至不同位置。該5個第二光入射孔11的柱坐標分別為(r(r=re2),α(α=θ1),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+72°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+144°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+216°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+288°),z[z0,z0+th1])。


本實施例中,參考信號發(fā)生器包括兩個發(fā)光元件和兩個光探測器,分別為第一發(fā)光元件161和第二發(fā)光元件162以及第一光探測器14和第二光探測器15,發(fā)光元件和光探測器分別位于非磁性轉輪2的兩側,以便于光探測器通過光入射孔探測發(fā)光元件發(fā)出的光線??蛇x光探測器和磁阻傳感器位于非磁性轉輪2的同一側。


如圖2所示可選第一發(fā)光元件161位于第一光入射孔10上方位置處,第二發(fā)光元件162位于第二光入射孔11上方位置處,第一光探測器14位于第一光入射孔10下方位置處,第二光探測器15位于第二光入射孔11下方位置處。在其他實施例中,如圖3所示還可選第一發(fā)光元件161位于第一光入射孔10下方位置處,第二發(fā)光元件162位于第二光入射孔11下方位置處,第一光探測器14位于第一光入射孔10上方位置處,第二光探測器15位于第二光入射孔11上方位置處??蛇x發(fā)光元件為led燈或其他任意一種適用的發(fā)光元件。可以理解,發(fā)光元件和光探測器的位置確定之后固定不變。


工作時,轉軸12以頻率f旋轉以同步帶動非磁性轉輪2以頻率f繞z軸旋轉,則非磁性轉輪2上的光入射孔的位置發(fā)生旋轉。當?shù)谝还馊肷淇?0和第二光入射孔11旋轉至依次正對第一發(fā)光元件161和第二發(fā)光元件162時,位于第一光入射孔10下方的第一光探測器14可以探測到第一發(fā)光元件161發(fā)出的光線,則第一光探測器14觸發(fā)第一邏輯觸發(fā)電路輸出頻率4n×f的第一參考信號,位于第二光入射孔11下方的第二光探測器15可以探測到第二發(fā)光元件162發(fā)出的光線,則第二光探測器15觸發(fā)第二邏輯觸發(fā)電路輸出頻率m×f的第二參考信號。


可選第一參考信號和第二參考信號均為高電平或低電平信號;在第一光探測器探測到第一發(fā)光元件發(fā)出的光線之前,第一邏輯觸發(fā)電路的電平保持不變,在第一光探測器探測到第一發(fā)光元件發(fā)出的光線之后,第一邏輯觸發(fā)電路的電平發(fā)生轉換;在第二光探測器探測到第二發(fā)光元件發(fā)出的光線之前,第二邏輯觸發(fā)電路的電平保持不變,在第二光探測器探測到第二發(fā)光元件發(fā)出的光線之后,第二邏輯觸發(fā)電路的電平發(fā)生轉換。


可以理解,若非磁性轉輪2旋轉至第一發(fā)光元件161、第一光入射孔10與第一光探測器14面向設置的情況下,第一光探測器14可以探測到第一發(fā)光元件151的光線并觸發(fā)第一邏輯觸發(fā)電路,則第一邏輯觸發(fā)電路切換輸出的第一參考信號的電平;若非磁性轉輪2旋轉至第一發(fā)光元件161、第一光入射孔10與第一光探測器14交錯的情況下,第一光探測器14無法探測到第一發(fā)光元件161的光線,則第一邏輯觸發(fā)電路保持第一參考信號的電平不變。第二參考信號的切換過程與第一參考信號的切換過程完全相同,在此不再贅述。


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