英飛凌（Infineon Technologies）與Wolfspeed于10月15日宣布，雙方已就200mm碳化硅（SiC）晶圓簽訂多年期供應合同。此舉旨在將兩家公司長達20余年的SiC晶圓供應關(guān)系從150mm擴展至200mm，加速英飛凌的制造線徑升級。

200mm晶圓相比150mm可提升單片可用芯片面積，有助于提高功率半導體制造效率并降低單位基板成本。然而，SiC晶體缺陷控制與加工難度較高，伴隨口徑擴大需同步解決品質(zhì)與良率穩(wěn)定問題，因此量產(chǎn)級大口徑化進程此前較為緩慢。英飛凌采取多供應商采購策略，引入Wolfspeed的200mm SiC晶圓將進一步拓寬其功率半導體量產(chǎn)供應鏈基礎(chǔ)，增強應對需求波動與提升供應鏈靈活性。

英飛凌首席運營官Alexander Gorski表示，確保高品質(zhì)且具備韌性的200mm基板供應對履行客戶長期供貨責任不可或缺。該合同將強化穩(wěn)定供給能力，并為未來增長提供所需的靈活性與擴展空間。

在產(chǎn)能布局方面，英飛凌正推進奧地利菲拉赫（Filach）與馬來西亞居林（Kulim）工廠的200mm SiC功率半導體生產(chǎn)。公司于2025年2月宣布啟動基于200mm SiC晶圓的功率半導體產(chǎn)品供應，此次與Wolfspeed的合同將為相關(guān)制造能力擴張?zhí)峁┰牧媳Ｕ?。對Wolfspeed而言，長期合同有助于鎖定200mm SiC晶圓供應渠道，鞏固其作為SiC材料供應商的業(yè)務(wù)根基。Wolfspeed首席執(zhí)行官Robert Feurle指出，此次合作建立在雙方穩(wěn)固的合作基礎(chǔ)上，新增200mm晶圓供應將有效支撐英飛凌長期的SiC需求。

SiC功率半導體憑借低開關(guān)損耗及耐高溫、耐高壓特性，已在電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及工業(yè)電機驅(qū)動等領(lǐng)域廣泛應用。隨著人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心GPU等運算設(shè)備功耗攀升，電源系統(tǒng)整體轉(zhuǎn)換效率要求日益提高，SiC被視為替代傳統(tǒng)硅基方案的重要選擇。Yole Group數(shù)據(jù)顯示，全球SiC功率器件市場規(guī)模預計將從2024年的34億美元增至2031年的111億美元，電動汽車充電、可再生能源、儲能及AI數(shù)據(jù)中心將成為主要增長驅(qū)動力。Wolfspeed已于2026年6月成立面向AI數(shù)據(jù)中心的專用電源解決方案團隊，持續(xù)拓展高密度、高效率電力轉(zhuǎn)換SiC器件布局。英飛凌與Wolfspeed將通過深化200mm晶圓供應合作，共同應對SiC功率半導體市場需求擴張與制造工藝升級。

資料來源：TECH+（テックプラス）；原文發(fā)布日期：2026-10-16。本文為資料編譯。