電化TFE可以在鎢單晶針狀物的表面上形成覆有鋯和氧的吸附層，從而被當作減少鎢的功函數(shù)的肖特基發(fā)射極來使用。不但具有超過單晶體LaB6陰極100倍以上的光亮度而且能量偏差小，即使是低加速電壓也可以有縮小探頭直徑的可能性。因此適合應用在半導體材料和設(shè)備機械的表面觀察上。此外，不僅放射電流是極其穩(wěn)定的，還壽命長，因此以半導體檢查裝置或電子束曝光設(shè)備為首，在各種電子束應用設(shè)備上被使用采納。
電化TFE|DENKA代理特點通過先進的針加工技術(shù)，制造出多種大小范圍的曲率半徑的芯片。
因為偏差小，所以具備再現(xiàn)性能好的電子發(fā)射特點。
可以對應指定的電子槍的配置。
此外，也可以提供芯片，壓縮機，引出電極為一體的模塊形式。
高分辨率掃描電子顯微鏡，透射分析電子顯微鏡，半導體測試裝置（CD-SEM，DR-SEM EBI），電子束曝
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