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晶體硅電池片檢驗方法:
2 ) 外觀目測:
a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色,目視顏色均勻 一致,無明顯色差花斑、水痕、手印、劃痕及污垢。
b. 隱裂:電池片有隱裂、 肉眼可見的裂紋, 均視為不合格
c. 背面鋁背電極完整,表面平整 、 邊界清晰 、 無明顯凸起的“鋁珠 ,脫落 3mm 2 / 個 ≤ 5mm 2 、鼓泡累計面積≤5mm
2 , 背面鋁膜與基體材料的附著強度? 背膜燒結(jié):用層壓機 130 — 145 度,超過 10 分鐘。冷卻到室溫后,用刀片隔開 1cm 的寬度,用大于 50N的拉力,鉛膜不隨 EVA 脫落,則認(rèn)為合格。
d. 受光面柵線:主柵線均勻完整,柵線印刷清晰、對稱;主柵線與細(xì)柵線處允許≤1mm ;細(xì)柵線允許≤ 2mm 的脫落;柵線印刷偏離,明顯兩次印刷的返工片視為不合格;斷點的總數(shù)≤ 60mm。
e. 崩邊:每一邊不超過兩處崩邊,崩邊間距≥ 30mm 、深度≤ 0.5片子厚度、面積≤ mm 2
f . 電池邊緣缺角面積不超過 1mm 2 ,數(shù)量不超過 2個。缺角:一邊有一處崩邊,面積≤5mm 2 ,一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2
g. 電池的崩邊、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求:長度不大于 1.5mm,由邊緣向中心的深度不大于 0.5mm ,同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過兩處。同時不允許電池上 V 形缺口。
電池片各工藝流程危害要素及異常現(xiàn)象
4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高,金字塔式容積越小,反映前期,金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害,堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著,濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速,再反映過段時間后,金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時,各向異性系數(shù)縮小,絨面會愈來愈差,類似打磨拋光??煽匦运剑号cIPA相近,線性度不高。
5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效,使反映不會很強烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點,生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱,更小一點兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去,Na2SiO3傳熱性差,會危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑。可控性水平:沒辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡(luò)合劑的雙向功效,硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層,SiO26HF=H2[siF6]2H2O。
基準(zhǔn)點1.減薄量界定:硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首籃減薄量在0.7±0.2g;之后減薄量在0.6±0.2g。2.絨面分辨規(guī)范:成核相對密度高,尺寸適度,勻稱。
操縱范疇:多晶硅:金字塔式規(guī)格3~10um。3.外型無豁口,黑斑,裂痕,激光切割線,刮痕,凹痕,有沒有白斑病,贓污。
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九、崩邊、豁口、掉角
充電電池邊沿崩邊喝豁口
A級:其長短≤3mm,深度1≤0.5mm,總數(shù)≤2處
B級:其長短≤5mm,深度1≤1.0mm,總數(shù)≤3處
四邊豁口
A級:規(guī)格≤1.5*1.5mm,總數(shù)≤1處
B級:規(guī)格≤2.0*2.0mm,總數(shù)≤1處
注:多晶硅A級和B級均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口,左右豁口都不能過電級(主柵線,副柵線)
超出B級范疇
多晶硅電池片超出了B級范疇,就立即做為缺點片。
多晶電池片超出了B級范疇,如合乎C級需切角片的規(guī)定,能作C級需切角片多
經(jīng)容許邊緣有豁口(包含三邊形豁口和銳利行豁口),對邊緣豁口聽規(guī)定給出
125任意邊緣破損≤18*18mm
150任意邊緣破損≤8*8mm
156任意邊緣破損≤14*14mm注:多晶電池片超過了C級片的規(guī)定,做為缺點片。徹底粉碎,無運用使用價值的做為報費片新的規(guī)范與舊的同樣。
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