技術參數(shù)

品牌：IR型號：IRKT162-16批號：16+封裝：MODULE數(shù)量：1460對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）制造商標準提前期：17 周系列：HEXFET?包裝：剪切帶（CT） ,帶卷（TR） 零件狀態(tài)：在售FET類型：P溝道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：30V電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：9.2A（Ta）驅動電壓（Zui大RdsOn，Zui小RdsOn）：4.5V，10V不同Id時的Vgs（th）（Zui大值）：2.4V@25μA不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（Zui大值）：38nC@10V不同Vds時的輸入電容（Ciss）（Zui大值）：1110pF@25V柵源電壓 Vgss：±20VFET功能：-功率耗散（Zui大值）：2.5W（Ta）不同 Id，Vgs時的 RdsOn（Zui大值）：19.4毫歐@9.2A，10V工作溫度：-55°C~150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝(SMT)供應商器件封裝：8-SO封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）