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NAND型閃存以塊(sector)為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù),必須先擦除后寫入,因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個(gè)塊包含32個(gè)512字節(jié)的頁(yè)(page),容量16KB;而大容量閃存采用2KB頁(yè)時(shí),則每個(gè)塊包含64個(gè)頁(yè),容量128KB。
每顆NAND型閃存的I/O接口一般是8條,每條數(shù)據(jù)線每次傳輸(512+16)bit信息,8條就是(512+16)×8bit,也就是前面說(shuō)的512字節(jié)。但較大容量的NAND型閃存也越來(lái)越多地采用16條I/O線的設(shè)計(jì),如三星編號(hào)K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型閃存,容量1Gb,基本數(shù)據(jù)單位是(256+8)×16bit,還是512字節(jié)。
尋址時(shí),NAND型閃存通過(guò)8條I/O接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔?,每包傳?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大,一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個(gè)頁(yè),顯然是不夠的,因此通常一次地址傳送需要分若干組,占用若干個(gè)時(shí)鐘周期。NAND的地址信息包括列地址(頁(yè)面中的起始操作地址)、塊地址和相應(yīng)的頁(yè)面地址,傳送時(shí)分別分組,至少需要三次,占用三個(gè)周期。隨著容量的增大,地址信息會(huì)更多,需要占用更多的時(shí)鐘周期傳輸,因此NAND型閃存的一個(gè)重要特點(diǎn)就是容量越大,尋址時(shí)間越長(zhǎng)。而且,由于傳送地址周期比其他存儲(chǔ)介質(zhì)長(zhǎng),因此NAND型閃存比其他存儲(chǔ)介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請(qǐng)求。
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