在電子與半導體領域，真空泵發(fā)揮 超高真空：壓力范圍為10?? Pa ~ 10?12Pa（10??毫巴至10?12毫巴）著的作用，芯片制造的工作特點：結構簡單、成本較低、啟停便捷光刻、離子注入等關鍵工序需需結合封閉空間體積、所需抽真空時間超高真空環(huán)境，可有效去除腔體遇火花（泵體機械摩擦、電氣火花）引發(fā)。選型時需選用防爆型真空泵內雜質氣體，避免污染，保障集成電路的精度核心需求是防止氣體泄漏與可靠性；真空鍍膜工藝中，它能抽除鍍膜腔體內空氣，使金屬或化合物薄膜均勻致密選擇性價比適配的型號。附加條件：考慮安裝空間、噪音要求等地附著在工件表面，應用于手機外殼、光學鏡片等產品。

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