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PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PlasmaEnhanced Chemical VaporDeposition)是指等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積。
CVD化學(xué)氣相沉積（ChemicalVapor Deposition）是指高溫下的氣相反應(yīng)。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）\高密度等離子體化學(xué)氣相淀積（HDPCVD）\微波等離子化學(xué)氣相沉積（MPCVD） \微波電子回旋共振等離子體化學(xué)氣相沉積（ECR-MPCVD）\真空化學(xué)氣相沉積（UHV/CVD）\熱化學(xué)氣相沉積(TCVD) \高溫化學(xué)氣相沉積（HTCVD） \金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）\激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積（LCVD）等。
PVD物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的方法，物理氣相沉積是主要的表面處理之一。物理氣相沉積可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。
ALD原子層沉積（Atomic layerdeposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。以上工況的測(cè)溫具體選型歡迎聯(lián)系我們。
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