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硒化錫 CAS：1315-06-6

一、中英文別名

（一）中文別名

二硒化錫、硒化亞錫

（二）英文別名

Tin selenide、Tin(II) selenide、Stannous selenide

二、基礎信息

（一）核心參數(shù)

CAS號：1315-06-6

分子式：SnSe

分子量：197.67

EINECS編號：215-257-6

性狀：灰黑色結晶性粉末或塊狀晶體，粉體干爽松散、粒度均勻、無結塊團聚、無雜色雜質、無氧化霉變及機械雜質，晶型規(guī)整，金屬光澤微弱，無特殊異味

溶解性：不溶于水、乙醇、、酯類等常規(guī)有機溶劑，常溫酸堿體系中溶解性極低，體系穩(wěn)定性強、無分層、無絮凝、無析出沉淀，僅在高溫強酸性體系中可緩慢溶解反應

（二）理化性質

硒化錫是錫與硒化合形成的二元金屬半導體化合物，屬于IV-VI族窄帶隙半導體材料、光電功能粉體、熱電轉換原料、薄膜沉積前驅體及科研專用高純無機試劑。本品晶體結構穩(wěn)定，具備優(yōu)異的光電響應性能、熱電轉換效率與載流子遷移率，光學吸收波段適配紅外光區(qū)，電學性能均勻穩(wěn)定，晶格缺陷少、純度可控。成品化學惰性良好，常溫干燥密閉環(huán)境下不易氧化變質、不易組分分解、無自發(fā)性能衰減，儲存耐久性優(yōu)異，與常規(guī)無機粉體、陶瓷基質、中性配方體系兼容性良好，復配燒結、鍍膜體系均勻穩(wěn)定、無組分拮抗。本品對高溫氧化環(huán)境、強氧化性介質、濃強酸體系較為敏感，高溫有氧條件下易被氧化生成氧化錫、二氧化硒等雜質；強氧化劑可破壞晶體結構導致光電性能失效，常溫干燥惰性工況下晶體結構與光電性能可長期保持恒定。

（三）產(chǎn)品規(guī)格與儲存銷售

本品現(xiàn)貨供應分析純、工業(yè)級、純全品類規(guī)格，一瓶起售，成品純度高、晶粒均勻、光電性能穩(wěn)定、雜質含量低、批次品質統(tǒng)一，適配半導體器件制備、熱電材料研發(fā)、紅外光學材料、薄膜鍍膜工藝、高?？蒲袑嶒灥榷囝悎鼍?。需密封干燥、陰涼通風、避光恒溫存放，遠離高溫熱源、明火、潮濕氧化區(qū)域，嚴禁與強氧化劑、濃強酸、吸濕腐蝕性物料混存混放，禁止敞口久置、高濕堆放，可有效規(guī)避粉體氧化變質、晶格破壞、光電性能衰減、純度下降等問題，保障材料制備與實驗應用性能穩(wěn)定。

（四）主要用途

本品廣泛應用于半導體工業(yè)、光電材料、熱電能源、紅外器件、科研實驗等領域。半導體領域用作窄帶隙半導體核心原料，制備光電探測器、光敏器件、半導體傳感元件，器件響應速度快、穩(wěn)定性優(yōu)異；熱電材料領域作為高效熱電轉換功能粉體，用于溫差發(fā)電、熱電制冷材料制備，具備低熱導率、高熱電優(yōu)值的特性；紅外光學領域用于紅外透光基底、紅外鍍膜材料制備，適配紅外光學器件研發(fā)；薄膜工藝領域用作磁控濺射、真空鍍膜的靶材前驅體，制備均勻穩(wěn)定的硒化錫功能薄膜；科研領域用作IV-VI族半導體晶體制備、光電性能改性、熱電機理研究的專用高純試劑。

（五）安全說明

本品屬于金屬硒化物無機功能粉體原料，具備輕微毒性與刺激性，規(guī)范操作下安全性可控。粉體揚塵吸入可刺激呼吸道黏膜，引發(fā)干澀、嗆咳、不適等癥狀；眼部接觸粉塵易產(chǎn)生泛紅、刺痛、異物刺激感；皮膚長期頻繁接觸易造成干燥、輕微致敏不適。本品不燃不爆，常規(guī)儲存與使用無燃爆隱患，熱穩(wěn)定性良好。極端高溫熱解或氧化條件下會釋放硒氧化物、錫氧化物等有激性煙氣。作業(yè)過程保持場地通風防塵，規(guī)范佩戴防塵口罩、護目鏡、耐腐蝕防護手套，避免揚塵堆積、物料飛濺與誤食。廢液廢渣按照重金屬硒化物危廢規(guī)范統(tǒng)一收集、專業(yè)無害化處置，嚴格遵守無機半導體原料安全操作準則。