一、牌號(hào)定位與對(duì)標(biāo)

12sOFC 為日系真空專用超薄系列無(wú)氧銅，s 代表超薄精密軋制，12代表氧含量控制≤0.0012%，定位真空器件引線、電子管封接引線、半導(dǎo)體真空載片、真空腔體薄壁沖壓件，對(duì)標(biāo) 015sOFC、國(guó)標(biāo)C10200 OFC、C10300 OFHC 高純無(wú)氧銅。核心特點(diǎn)：超低氧、低出氣、無(wú)磷脫氧雜質(zhì)、塑性極強(qiáng)、氣密性優(yōu)異，適配0.01~1.2mm超薄帶蝕刻、拉伸、封接沖壓，各類需要真空密封、低氣體析出的電子真空元器件，兼顧真空引線與小型高純導(dǎo)熱襯片。

化學(xué)成分（原廠標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量分?jǐn)?shù)）

Cu+Ag ≥ 99.99%氧含量 ≤ 0.0012%（牌號(hào)命名核心指標(biāo)，優(yōu)于 015sOFC）無(wú) P、Si、Sn、Ni、Fe合金添加，無(wú)脫氧殘留元素；全部金屬、非金屬雜質(zhì)總含量 ≤0.0025%，無(wú)氧化夾雜、無(wú)成分偏析，晶格完整缺陷極少。強(qiáng)化機(jī)理：無(wú)合金強(qiáng)化相，依靠低氧、超低雜質(zhì)維持連續(xù)完整導(dǎo)電導(dǎo)熱晶格；極低氧從根源杜絕高溫氫脆、真空下分解水汽與碳氧化物，純銅本征塑性實(shí)現(xiàn)超薄深度拉伸、精密蝕刻不變形。

二、基礎(chǔ)物理參數(shù)

密度：8.94 g/cm3彈性模量：123 GPa線膨脹系數(shù)：17.7×10??/℃導(dǎo)電率：100.2～101.2 %IACS，接近純銅理論導(dǎo)電上限熱導(dǎo)率：402～408W/(m?K)軟化溫度：220℃核心真空特性：出氣速率極低，高溫烘烤無(wú)雜質(zhì)氣體釋放，封接氣密性穩(wěn)定；無(wú)磁性，不干擾真空檢測(cè)、射頻真空元器件信號(hào)。

三、12s 超薄系列軋制力學(xué)狀態(tài)

1. O 軟態(tài)（真空引線基材、超薄真空密封箔、電子管拉伸殼體、芯片真空散熱薄襯片）抗拉 202～238MPa，HV56～74，伸長(zhǎng)率≥50%，可任意折彎、深度拉伸，0.01mm 超薄軋制無(wú)分層、橘皮缺陷，蝕刻尺寸無(wú)畸變。

2. 1/2H 半硬（真空法蘭導(dǎo)電襯片、真空設(shè)備接地薄帶、功率器件真空引線框）抗拉 258～308MPa，HV84～104，伸長(zhǎng)率≥24%，兼具輕度結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與折彎加工性能。

3. H 硬態(tài)（固定真空導(dǎo)電薄片、小型真空端子基底、真空屏蔽薄帶）抗拉 342～388MPa，HV118～138，伸長(zhǎng)率≥11%，成型后不易形變，僅做固定導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，無(wú)彈性?shī)A持能力。

四、12sOFC 核心優(yōu)勢(shì)

1. 氧含量 0.0012% 級(jí)，真空出氣性能優(yōu)于015sOFC氧含量指標(biāo)更低，腔體高溫烘烤時(shí)釋放氣體更少，可維持超高真空穩(wěn)定度，適配半導(dǎo)體鍍膜、實(shí)驗(yàn)室高真空設(shè)備長(zhǎng)期連續(xù)運(yùn)行，不會(huì)污染真空腔內(nèi)部件。

2. 真空封接無(wú)氫脆，焊接密封性可靠無(wú)氧無(wú)磷殘留，真空釬焊、電子束焊、玻璃金屬封接全程無(wú)氣孔、裂紋，電子管、真空引線封接后長(zhǎng)期不漏氣，元器件使用壽命大幅提升。

3. s 系列專屬低應(yīng)力超薄軋制0.01~1.2mm全厚度低內(nèi)應(yīng)力處理，沖壓、蝕刻后無(wú)翹曲波浪，多引腳細(xì)密真空引線框架量產(chǎn)良率高，減少后續(xù)校平工序。

4. 表面超潔凈，鍍膜、電鍍結(jié)合力極強(qiáng)軋制后真空級(jí)去油鏡面表面，無(wú)氧化皮、油污，鍍鎳、鍍金、鍍銀鍍層致密不脫落，真空引線表面鍍層長(zhǎng)期真空環(huán)境不剝落。

5. 無(wú)有害合金雜質(zhì)，高純電子場(chǎng)景無(wú)干擾不含鐵、鎳、錫等合金元素，不會(huì)產(chǎn)生雜波、磁干擾，同時(shí)滿足真空設(shè)備進(jìn)出口潔凈度檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。

五、供貨規(guī)格（真空引線專用銅帶）

厚度 0.01～1.2mm，分切寬度 2～340mm，厚度公差±0.001mm；真空級(jí)光亮去油表面；支持分條、定尺零切、覆膜防氧化、定制全軟退火；配套超細(xì)圓棒Φ1～45mm，用于真空插針、密封引線車削加工。

六、細(xì)分應(yīng)用場(chǎng)景

1. 真空電子器件：電子管、X 射線管、光電倍增管真空封接引線、真空管內(nèi)部導(dǎo)電引線；

2. 半導(dǎo)體真空設(shè)備：晶圓鍍膜機(jī)超薄載片、小型濺射設(shè)備真空導(dǎo)電襯片、真空腔體薄壁沖壓件；

3. 實(shí)驗(yàn)室超高真空儀器：真空管路連接薄片、檢測(cè)儀器高純接地帶、低溫真空導(dǎo)熱連接件；

4. 特種精密元器件：射頻真空腔體屏蔽箔、微型傳感器真空密封引線、醫(yī)療影像真空設(shè)備導(dǎo)電基材。

七、同類材料替換對(duì)比

1. 015sOFC 無(wú)氧銅：氧含量≤0.0015%，出氣量高于 12sOFC，僅普通音頻、低真空設(shè)備使用，超高真空引線優(yōu)先12sOFC；

2. C10300 OFHC 高純無(wú)氧銅：純度指標(biāo)與 12sOFC 接近，但無(wú)超薄低應(yīng)力軋制工藝，超薄蝕刻件易變形，成本更高；

3. C12200 TP2 磷脫氧銅：含磷、氧含量高，真空高溫釋放雜質(zhì)氣體，存在氫脆，完全不能用于真空封接引線；

4. KLF194SHT 銅鐵合金：導(dǎo)電偏低，含鐵雜質(zhì)會(huì)污染真空腔體，嚴(yán)禁真空器件使用；

5. KLF5/KLF85 銅鎳硅合金：含鎳硅合金元素，真空出氣量大、雜質(zhì)析出，不適合真空密封引線。