氧化硅拋光液 MYH-SOP420

產(chǎn)品簡介

銘衍海 MYH-SOP420 是半導(dǎo)體制程 CMP工藝核心拋光耗材，核心為電子級高純度納米球形氧化硅磨粒，依托化學(xué)機(jī)械拋光協(xié)同特性，實(shí)現(xiàn)硅晶圓、介質(zhì)層、金屬互連層納米級精密拋光，無損傷、無殘留、平整度優(yōu)異，契合半導(dǎo)體前/ 后道制程嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，亦可兼容光通信器件端面超精密拋光，一液多用適配多場景。

通過精準(zhǔn)拋光實(shí)現(xiàn)：

1. 半導(dǎo)體基材無晶格損傷，為后續(xù)制程奠定優(yōu)質(zhì)基礎(chǔ)，提升芯片良率；

2. 金屬互連層平整度高，降低信號損耗，優(yōu)化芯片性能；

3. 多基材拋光一致性強(qiáng)，兼顧光通信器件鏡面拋光需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.磨粒高純精密：電子級高純度，粒徑分布極窄，原子級去除，拋光面無劃痕、無麻點(diǎn)、無殘留；

2.柔性無損傷拋光：匹配半導(dǎo)體基材特性，拋光硅晶圓、介質(zhì)層、銅/ 鎢互連層，無晶格損傷、無表面刻蝕；

3.懸浮超穩(wěn)定：專用水性分散配方，磨粒不團(tuán)聚、久置不分層，批量拋光一致性高，量產(chǎn)良率穩(wěn)定；

4.環(huán)保易清洗：純水基體系，無VOC、無重金屬，純水可快速沖凈，符合半導(dǎo)體清潔生產(chǎn)要求；

5.制程高度適配：拋光速率可控，平整度優(yōu)異，適配各類全自動CMP 拋光設(shè)備及 6/8/12 英寸晶圓加工；

6.多場景兼容：滿足半導(dǎo)體核心需求，同時(shí)適配光通信全規(guī)格連接器、光器件拋光，降低耗材成本。

應(yīng)用范圍

核心：半導(dǎo)體領(lǐng)域

· 硅晶圓：單 /多晶硅晶圓前道精拋、后道制程表面整飾，實(shí)現(xiàn)納米級平整度；

· 介質(zhì)層：氧化硅、氮化硅介質(zhì)層精密拋光，保障層間平坦度，無表面缺陷；

· 金屬互連層：銅、鎢互連層化學(xué)機(jī)械拋光，高精度成型互連線路，提升貼合度。

兼容：光通信領(lǐng)域

適配 SC/LC/FC 等全規(guī)格連接器、10G-800G 光模塊、保偏光纖 /特種插芯等光器件端面超精密鏡面拋光。

常見類型

1. 半導(dǎo)體專用款：分硅晶圓、介質(zhì)層、銅 /鎢互連層專用，精準(zhǔn)匹配不同制程要求；

2. 半導(dǎo)體通用款：適配多基材拋光，一液多用，適合小批量、多品類加工；

3. 雙領(lǐng)域通用款：兼顧半導(dǎo)體小型基材與光通信器件拋光，適配跨領(lǐng)域產(chǎn)線；

4. 光通信專用款：聚焦光器件端面，實(shí)現(xiàn)納米級鏡面效果。

儲存與使用

1. 儲存：5℃~30℃陰涼干燥密封保存，防凍防高溫，半導(dǎo)體使用需千 /萬級無塵車間恒溫存放，遠(yuǎn)離酸堿、粉塵；

2. 使用前：輕輕搖勻，半導(dǎo)體 CMP制程需精密過濾，即用型無需稀釋；

3. 適配：各類半導(dǎo)體全自動 CMP拋光機(jī)，可微調(diào)壓力、盤速等參數(shù)，拋光后用超純水沖凈無殘留；

4. 保質(zhì)期：密封未開封 12 個(gè)月，開封后 3個(gè)月內(nèi)用完，用后立即密封。