電波暗室核心參數(shù)可概括為：尺寸與靜區(qū)、頻率范圍、屏蔽效能、歸一化場地衰減NSA、場均勻性 FU、駐波比 SVSWR、吸波材料反射損耗、背景噪聲、轉(zhuǎn)臺 / 天線升降。
類型與測試距離半電波暗室（SAC）：地面為金屬反射面，其余五面鋪吸波材料；用于 EMC 輻射發(fā)射 /抗擾度，常見3m/10m法。
全電波暗室（FAC）：六面均鋪吸波材料，模擬自由空間；用于天線、雷達、射頻器件測試，常見5m法。
3m 半電波：約9.5×6.5×6.5m
10m 半電波：約21×12×9m
5m 全電波：約12.5×8.5×7.5m
定義：暗室中心滿足場均勻性與衰減指標的無反射區(qū)域，放置被測件（EUT）。
3m 法：φ2.0m×高 2.0m
5m/10m 法：φ3.0m×高 2.0m
標準 EMC：30MHz～18GHz（覆蓋民用/ 工業(yè)主流頻段）
低頻擴展：9kHz～30MHz（需增強低頻吸波與屏蔽）
高頻擴展：18GHz～40GHz（需高頻吸波材料與精密校準）
定義：屏蔽體使內(nèi)部場強衰減的能力（dB），值越大抗外界干擾越強。
執(zhí)行標準：EN50147-1、GB/T12190、GJB9379
消聲室，混響室，電波暗室，屏蔽室
消聲（音）室、混響室、電波暗室、屏蔽室、噪聲室、屏蔽室等...