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場效應(yīng)管通常分為兩類:JFET和MOSFET。這兩類場效應(yīng)管都是壓控型的器件。場效應(yīng)管有三個(gè)電極,分別為:柵極漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛,JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號(hào)圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的:在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū),這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D,在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。






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