多晶硅是由多個(gè)取向各異的硅單晶顆粒組成的半導(dǎo)體材料，熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，這些晶核長成晶面取向不同的晶粒后結(jié)合形成多晶硅，具有半導(dǎo)體屬性，是光伏產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)原料。其檢測涵蓋化學(xué)成分、物理性質(zhì)及晶體結(jié)構(gòu)分析，通過光譜分析、X射線衍射、電感耦合等離子體質(zhì)譜等技術(shù)，測定純度、雜質(zhì)含量、電阻率、少子壽命及晶粒缺陷等指標(biāo)，確保材料滿足電子級(jí)或光伏級(jí)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。

我們的優(yōu)勢(shì)：

【技術(shù)人才】：擁有超過700名人員，其中技術(shù)團(tuán)隊(duì)90%以上畢業(yè)于國家“985”“211”等重點(diǎn)高校，具有碩士、博士學(xué)位。

【儀器設(shè)備】：500余臺(tái)（套）儀器設(shè)備，包括紅外光譜（IR）、核磁共振（NMR）、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（ICP）、電感耦合等離子體發(fā)射質(zhì)譜儀（ICP-MS）、液相二級(jí)質(zhì)譜（LC-MS-MS）、氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀（GC-MS）、高效液相色譜（HPLC）、氣相色譜儀（GC）、X射線熒光光譜(XRF)等。

【資質(zhì)認(rèn)可】：獲得中國合格評(píng)定國家認(rèn)可委員會(huì)頒發(fā)的實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書（CNAS）、質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局頒發(fā)的檢驗(yàn)檢測機(jī)構(gòu)資質(zhì)認(rèn)定證書（CMA）。

【服務(wù)客戶】：累計(jì)為公檢法單位、高校及科研機(jī)構(gòu)、企業(yè)等超過10萬家客戶提供咨詢、分析、檢測、測試、鑒定研發(fā)等技術(shù)服務(wù)。

多晶硅檢測項(xiàng)目包括：

電阻率、少數(shù)載流子壽命、碳含量、氧含量、氮含量、金屬雜質(zhì)含量、施主濃度、受主濃度、基磷電阻率、基硼電阻率、n型少子壽命、p型少子壽命、體金屬含量、表面金屬含量、顆粒數(shù)量、表觀質(zhì)量、結(jié)構(gòu)缺陷等。

檢測范圍有：

太陽能級(jí)多晶硅、電子級(jí)多晶硅、冶金級(jí)多晶硅、高純多晶硅、區(qū)熔多晶硅、直拉多晶硅、塊狀多晶硅、粒狀多晶硅、芯片用多晶硅、電池片用多晶硅等。

檢測周期：

到樣后5-7個(gè)工作日（可加急），具體需咨詢工程師。

檢測標(biāo)準(zhǔn)參考：

1、GB/T 24581-2022 多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定

2、GB/T 24582-2022 多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量的測定

3、GB/T 1550-2018 半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

4、GB/T 1554-2009 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

5、GB/T 12963-2022 電子級(jí)多晶硅

6、GB/T 25074-2017 太陽能級(jí)多晶硅

檢測流程：

1、和客服溝通需求，安排工程師進(jìn)行對(duì)接

2、根據(jù)情況進(jìn)行寄樣，支持上門取樣

3、對(duì)樣品進(jìn)行初步分析，很具客戶需求，進(jìn)行樣品檢測

4、進(jìn)行實(shí)驗(yàn)檢測，得出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，出具檢測報(bào)告

復(fù)達(dá)檢測歡迎您的咨詢，我們會(huì)有人員為您一對(duì)一進(jìn)行解答，服務(wù)面向全國各地。