像素點(diǎn)間距要求：不大于 1.25 mm，全倒裝共陰 COB；像素點(diǎn) 1.1.1 顯示屏技術(shù)要求

 采用 COB 封裝（集成三合一）技術(shù)，全倒裝共陰封裝，RGB 晶片均為倒裝，所 有晶片直接貼裝在 PCB基板上，無焊線 無引線，無回流焊，無裸露焊接點(diǎn)， 表面無 覆膜。 

采用封 閉式壓鑄鋁/鋁鎂材質(zhì)箱體，機(jī)械強(qiáng)度 ≥30Mpa，抗拉強(qiáng)度≥230Mpa， 屈服強(qiáng)度≥170Mpa；顯示單元滿足縱向拉伸承載力≥2T，橫向拉伸承載力≥2T， 四 側(cè)面平面度公差≤0.02mm，四側(cè)面垂直度公差≤0.02mm 的要求。箱體抗 拉強(qiáng) 度>150Mpa，屈服強(qiáng)度>100Mpa 硬度>50HBS;箱體拉力與壓力:≥5000N/ ㎡。 

模組、接收卡與主板采用硬接口設(shè)計(jì)， 無排線，支持直接熱插拔；箱體之間 無線纜設(shè)計(jì)，接口支持電源與信號(hào)雙備份，屏體外觀簡潔美觀。

 采用 FR-4 材質(zhì)，厚度≥2mm，燈驅(qū)合電 路采用 6 層以上設(shè)計(jì)；PCB 設(shè)計(jì)、 板材的選用、加工過程的管控，能有效耐受 CAF 離子遷移。

采用 EBL+技術(shù)(enhance level）及 “Brilliant Black 倍麗安”至臻純黑 技術(shù)模塊表面處理，提高屏體的黑色 水平，同時(shí)提升觀看的舒適度、降低 觸摸痕跡； 高分子材料超黑涂層，全 啞光設(shè)計(jì)，拼裝無模塊化現(xiàn)象，無反光，無靜電。 

驅(qū)動(dòng)方式：共陰恒流驅(qū)動(dòng)（恒流源輸出端驅(qū)動(dòng) LED 的陽極，同一像素內(nèi) R/G/B 三種顏色的 發(fā)光二極管共用一個(gè)負(fù)極的產(chǎn)品設(shè)計(jì)）。恒流芯片 PWM 脈寬，≤15ms。 

MTBF≥220000 小時(shí):平均無故障使用 時(shí)間不低于 220000h。

電源采用 AC100-240V 寬電源， 功率因數(shù)（PFC）不小于 0.96，轉(zhuǎn)換效 率不小于 88％

支持信號(hào)環(huán)路備份，數(shù)據(jù)備份，支持發(fā)送卡、接收卡雙備 份功能。

(驅(qū)動(dòng)芯片具備列下消隱功能、倍頻刷 新率提升 2/4/8 倍、低灰偏色改善 功能。

支持 1+1 冗余電源，支持 7x24 小時(shí)不 間斷運(yùn)行，平均故障時(shí)間(MTBF)不低 于 180000小時(shí)，平均修復(fù)時(shí)間(MTTR) 小于 8 秒

耐壓試驗(yàn)：在測試電壓 1500 V/AC，測試頻率 50 Hz，持續(xù) 1min 時(shí)間環(huán)境下，測試部位傳感器無擊穿、無閃絡(luò)現(xiàn)象且泄漏電流值應(yīng)＜5mA。

振動(dòng)（正弦）試驗(yàn)：實(shí)際使用狀態(tài)安裝在振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)上，在通電的狀態(tài)下進(jìn)行測試。一個(gè)方向完成后，再在其他兩個(gè)方向上進(jìn)行試驗(yàn)。振動(dòng)頻率范圍：10Hz-150Hz；位移幅值：0.075mm；加速度幅值：10m/s2；每軸掃頻周期：20。試驗(yàn)過程中及試驗(yàn)結(jié)束后，設(shè)備能正常工作，且試后樣品外觀完好。測試結(jié)果符合要求。 按照 GB/T 2423.10-2019中的要求進(jìn)行振動(dòng)試驗(yàn)。

靜電放電抗擾度：根據(jù) GB/T 17626.2 中的要求進(jìn)行，按照臺(tái)式設(shè)備進(jìn)行布置。靜電發(fā)生器的放電回路電纜應(yīng)與接地參考平面連接。尺寸為 0.5m×0.5m 的垂直耦合板平行于受試設(shè)備且與其 0.1m處?？諝夥烹娨螅骸?5k 空氣放電；試驗(yàn)部位： 顯示屏、按鈕、電源線、外殼、外殼縫；至少 10 次放電（正極性和負(fù)極性）；在間 隔1 秒的時(shí)間內(nèi)連續(xù)放電。接觸放電要求：±8kV 接觸放電；試驗(yàn)部位：鑰匙孔、HCP、 VCP；至少 10次放電（正極性和負(fù)極性）；在間隔 1 秒的時(shí)間內(nèi)連續(xù)放電。測試結(jié)果 符合性能判定為 A。

射頻電磁場輻射抗擾度：根據(jù) GB/T 17626.3 中的要求進(jìn)行，按照臺(tái)式設(shè)備進(jìn)行布置。用規(guī)定的試驗(yàn)信號(hào)，在預(yù)定的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行掃描試驗(yàn)。EUT 需要在發(fā)射天線的水平和垂直極化狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)的場強(qiáng)如下：頻率范圍 80MHz～ 1000MHz，試驗(yàn)等級(jí) 10V/m；頻率范圍1400MHz～2000MHz，試驗(yàn)等級(jí) 30V/m；1kHz 的 正弦波 80%的幅度調(diào)制信號(hào)；步長為當(dāng)前頻率的 1%；駐留時(shí)間3s。設(shè)備按預(yù)期的工作 狀態(tài)正常運(yùn)行，符合性能判定為 A。

電快速瞬變脈沖群抗擾度：根據(jù) GB/T 17626.4 中的要求進(jìn)行，EUT 按照 臺(tái)式設(shè)備進(jìn)行布置。試驗(yàn)電壓施加到 EUT的電源線。脈沖群的相關(guān)參數(shù)如下：重復(fù)頻 率為 5kHz，上升時(shí)間為 5ns 和持續(xù)時(shí)間為 50ns；脈沖群持續(xù)時(shí)間15ms；脈沖群周期 300ms；試驗(yàn)等級(jí)：±1.0/2.0kV（電源端口）；試驗(yàn)等級(jí)：±1.0kV（信號(hào)端口）； 試驗(yàn)時(shí)間1min。設(shè)備按預(yù)期的工作狀態(tài)正常運(yùn)行，符合性能判定為 A。

浪涌（沖擊）抗擾度：根據(jù) GB/T 17626.5 中的要求進(jìn)行。浪涌脈沖具體 規(guī)定如下：開路電壓前沿/脈寬1.2/50μs，短路電流前沿/脈寬 8/20μs；正負(fù)極性各 5 次；間隔時(shí)間60s；共模試驗(yàn)等級(jí)：±4kV；差模試驗(yàn)等級(jí)：±2kV；注入角度：0°、90°、180°、270°。設(shè)備按預(yù)期的工作狀態(tài)正常運(yùn)行，符合性能判定為 A。

 工頻磁場抗擾度：根據(jù) GB/T 17626.8 的要求進(jìn)行，EUT 按照臺(tái)式設(shè)備進(jìn) 行布置。試驗(yàn)應(yīng)以線圈Zui短一邊的50%為步長，沿 EUT 的側(cè)面將線圈移動(dòng)到不同的位 置重復(fù)進(jìn)行，旋轉(zhuǎn)感應(yīng)線圈使受試設(shè)備暴露在三個(gè)不同方向的試驗(yàn)磁場中。磁場強(qiáng)度：400A/m；測試頻率：50Hz；測試時(shí)間：3s。設(shè)備按預(yù)期的工作狀態(tài)正常運(yùn)行，符合性 能判定為 A。

電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度：根據(jù) GB/T 17626.11 中的要 求進(jìn)行。