測試頻段：150kHz~30MHz（傳導騷擾核心關注頻段）；

限值要求：

準峰值：150kHz~500kHz ≤48dBμV，500kHz~30MHz ≤40dBμV；

平均值：150kHz~500kHz ≤40dBμV，500kHz~30MHz ≤34dBμV；

測試條件：通過 50Ω/50μH 人工電源網絡（LISN）測量 AC 220V 電源線的騷擾電壓。

主要干擾源：加熱盤（感性負載）由晶閘管（SCR）或 MOS 管高頻調功（通常 50Hz~1kHz 斬波），開關瞬間產生的di/dt、dv/dt 形成寬頻噪聲（150kHz~20MHz 為主）；

干擾路徑：

差模干擾：通過火線（L）與零線（N）之間的回路傳導；

共模干擾：通過加熱盤外殼、控制板接地與大地（PE）之間的寄生電容傳導。

選型原則：

類型：優(yōu)先 X2 類安規(guī)電容（耐壓≥275VAC，符合 IEC 60384-14），聚丙烯（PP）材質（低ESR、高紋波耐受）；

容值匹配：根據超標頻段調整，150kHz~1MHz低頻段超標時，從常規(guī) 0.1μF 增至 0.47~1μF（增大差模阻抗，衰減低頻噪聲）；1MHz~10MHz中頻段超標時，并聯(lián) 0.1μF 高頻 X 電容（補充高頻抑制）。

示例組合：0.47μF（X2，如 TDK B32922C0474K）+0.1μF（X2，如 YageoMKP61X2-104K），覆蓋 150kHz~10MHz 頻段。

安裝要求：X 電容需緊貼電源入口（L-N 之間），引腳長度≤5mm（減少寄生電感），與差模電感組成 π型濾波（見下圖）：

plaintext

選型原則：

類型：Y2 類安規(guī)電容（耐壓≥5kV，漏電流≤10μA），陶瓷 C0G/NPO 材質（溫度穩(wěn)定性好，容值偏差≤±5%）；

容值限制：總容量≤4700pF（避免整機漏電流超標，GB 4706.1 要求≤0.75mA），推薦 2.2nF×2（L-PE 和N-PE 各 1 只）；

高頻補充：在 Y 電容旁并聯(lián) 100pF~1nF Y1 電容（如 Murata GRM32ER71H101KA01），抑制10MHz 以上共模噪聲。

安裝要求：Y 電容需靠近加熱盤金屬外殼接地端（PE），縮短接地引線（≤3cm），與共模電感組成共模濾波網絡：

plaintext

電解電容濾波：在加熱盤驅動電路（如晶閘管陽極）并聯(lián) 47μF/400V 電解電容（如 Rubycon47μF/400V）+1μF 陶瓷電容（X7R 材質），吸收低頻調功噪聲（50Hz~1kHz 諧波）；

RC 緩沖電路：在晶閘管兩端并聯(lián) RC 吸收網絡（100Ω/1W 電阻 + 100nF/630V C0G電容），抑制開關尖峰（dv/dt≤50V/ns），減少 20MHz 以上高頻噪聲。

差模電感（Ld）：選用鐵硅鋁磁芯（如 Micrometals T50-6），電感量 10~100μH（根據 X電容容值匹配，確保諧振頻率≤150kHz），額定電流≥2 倍加熱盤大電流（如 10A 加熱盤選 25A 電感）；

共模電感（Lcm）：納米晶磁芯（初始磁導率 μi≥80,000），電感量10~30mH，繞組對稱（感量偏差≤5%），抑制共模噪聲（1MHz 以上效果顯著）。

低頻段（150kHz~1MHz）：若準峰值超標（如 52dBμV），逐步增大 X 電容至 0.47μF（通?？山档?~10dB）；

中高頻段（1~30MHz）：若 10MHz 處超標（如 45dBμV），增加共模電感量至 20mH 或并聯(lián) 1nF Y電容（可降低 5~7dB）；

驗證指標：全頻段準峰值≤37dBμV（預留 3dB 余量），平均值≤31dBμV。

X 電容：0.1μF→0.47μF（X2）；

Y 電容：1nF×2→2.2nF×2（Y2）+100pF（Y1）；

增加 RC 緩沖（100Ω+100nF）；
整改后：150kHz~500kHz 準峰值 42dBμV，10MHz 處 36dBμV，全頻段符合 GB/T9254-2021 Class B 要求。