光刻膠 AZ膠 正膠 負膠 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500-久久夜色邦福利網,人妻無碼一區(qū)二區(qū)三區(qū)歐美熟婦
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AZ5214E特征：
1) 適用于高分辨率工藝(lift-off工藝)；
2) 適用于正/負圖形；
3) 很寬的膜厚范圍。
AZ 5200E系列光刻膠參考工藝條件：
前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)；
曝光 ：I線步進式曝光機/接觸式曝光機；
反轉烘烤 ：110~125℃ 90秒 (DHP):去離子水30秒；
全面曝光 ：310~405nm
(在曝光光源下全面照射)；
顯影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle；
：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；
：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；
清洗 ：去離子水30秒；
后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)；
剝離 ：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化；
產品型號：
型號
AZ5206E
AZ5214E
AZ5218E
AZ5200NJ
粘性
7mPa
25mPa
40mPa
85mPa
AZP4620超厚膜，高對比度，高感光度G線標準正型光刻膠，適用于半導體制造及GMR磁頭制造。
特征：
1) 高對比度，高感光度
2) 高附著性，對電鍍工藝高耐受性
3) 多種粘度可供選擇
參考工藝條件：
前烘 ：100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光 ：G線步進式曝光機/接觸式曝光系統(tǒng)
顯影 ：AZ300MIF顯影液23℃ 60~300秒
清洗 ：去離子水
后烘 ：120℃ 60秒以上
剝離 ：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化
產品型號：
型號
AZ P4210
AZ P4330
AZ P4400
AZ P4620
AZ P4903
粘性
49mPa
115mPa
160mPa
400mPa
1550mPa
AZ?4500系列 AZ4562
具有佳粘附力的厚光刻膠
特點：
AZ ? 4500系列（AZ ? 4533和AZ ? 4562）是正性厚光刻膠，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有優(yōu)良的粘附性能：
l 優(yōu)化對所有常見基材的附著力
l 寬廣的工藝參數窗口，可實現(xiàn)穩(wěn)定且可重復的光刻工藝
l 與所有常見的顯影液兼容（基于KOH或TMAH）
l 與所有常見的去膠劑兼容（例如AZ100去膠劑、有機溶劑或堿性溶劑）
l 對g，h和i線敏感（約320-440 nm）
l 光刻膠厚度范圍約 3-30微米
AZ ? 4500系列（AZ ? 4533和AZ ? 4562）的溶劑濃度不同，因此可達到的光刻膠膜厚有較大的范圍：
光刻膠型號
光刻膠膜厚范圍
包裝規(guī)格
AZ ? 4533
轉速為4000 rpm時，膜厚約為3.3 μm；通過改變轉速，膜后可達2.5-5 μm。
多規(guī)格包裝，如1L、2.5L等
AZ ? 4562
轉速為4000 rpm時，膜厚約為3.3 μm；通過改變轉速，膜后可達4.5-10 μm；調整旋轉輪廓（中等旋涂速度下短時間旋涂），可達30 μm膜厚。
多規(guī)格包裝，如1L、2.5L等
若光刻膠膜厚度 30 μm？
通常，AZ?4562可以用來涂覆厚度達30微米及以上。然而，在該厚度范圍內，軟烘烤、曝光、顯影等變得非常耗時。此外，如果涂得太厚，AZ?4562也可能在曝光期間形成N2氣泡。 因此，對于厚度大于30 μm的光刻膠膜厚度，強烈建議使用化學放大的AZ?40 XT光刻膠。
顯影液——適用于AZ ? 4500光刻膠
如果可以使用含金屬離子的顯影液，可使用1：4稀釋的KOH基AZ?400K作為顯影液（對于更高的光刻膠膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀釋濃度）。
如果必須使用不含金屬離子的顯影液，我們建議使用基于TMAH基的AZ?326 MIF，AZ?726 MIF或AZ?826 MIF顯影劑（未稀釋）。
去膠劑——適用于AZ ? 4500光刻膠
對于非交聯(lián)的光刻膠薄膜，可以使用AZ?100作為去膠劑，DMSO或其他常見的有機溶劑作為剝離劑。 如果光刻膠膜已交聯(lián)（例如，在干法蝕刻等離子工藝或離子注入時，> 140°C的高溫步驟時），我們建議使用不含NMP的TechniStrip P1316作為去膠劑。
EM膠
電子束光刻膠
型號
光源
類型
分辨率
厚度（um)
適用范圍
SU-8 GM1010
電子束
負性
100nm
0.1-0.2
可用于做高寬比較大的納米結構。
HS/004/006
電子束
負性
6nm
30nm~180nm
分辨率好的光刻膠，抗刻蝕。
HS/16
電子束
負性
100nm
350nm~810nm
分辨率好的光刻膠，抗刻蝕。
PMMA(國產)
電子束
正性
\
\
高分辨率，適用于各種電子束光刻工藝，常用的電子束光刻正膠。
PMMA（進口）
電子束
正性
\
\
MicroChem，各種分子量，適用于各種電子束光刻工藝，常用的電子束光刻正膠。
PMGI&LOR Lift-off光刻膠
半導體光刻膠，電子級蝕刻液，顯影液去膠液，半導體化學試劑，UV燈管
五金產品批發(fā)；電氣設備批發(fā)；計算機、軟件及輔助設備批發(fā)；通訊及廣播電視設備批發(fā)；非金屬礦及制品批發(fā)（不含危險化學品和監(jiān)控化學品）；金屬及金屬礦批發(fā)（不含危險化學品和監(jiān)控化學品）；建材批發(fā)；化肥批發(fā)；其他化工產品批發(fā)（不含危險化學品和監(jiān)控化學品）；貿易代理；其他貿易經紀與代理；經營各類商品和技術的進出口（不另附進出口商品目錄），但國家限定公司經營或禁止進出口的
主營業(yè)務：顯影液、漂洗液、光刻膠、聚酰亞胺、冰箱儲存、化學試劑、國產試劑、半導體材料、電子專用材料、銳材表面活性劑美國PTI粉塵，日本JIS粉塵，德國DMT粉塵，美國AATCC測試用，英國SDC,JAMESH,日本測試用品，理美國PTI公司雜質顆粒尺寸分析試驗、檢測設備及各種試驗粉塵。代理德國DMT公司的符合IEC 60312標準的試驗粉塵。 同時，公司還代理進口日本JIS標準試驗粉塵。 滿足國內汽車零部件、纖，電子等行業(yè)企業(yè)的實驗室以...