激光驅(qū)動(dòng)模塊：調(diào)制信號(hào)（通常 100kHz~50MHz）通過驅(qū)動(dòng)線輻射；

高速數(shù)字信號(hào)：MCU 時(shí)鐘（20~100MHz）、SPI/I2C 數(shù)據(jù)總線（1~10MHz）的高頻諧波；

電源模塊：DC-DC 開關(guān)噪聲（1~30MHz）通過電源平面耦合；

天線效應(yīng)結(jié)構(gòu)：未屏蔽的信號(hào)走線（尤其是長(zhǎng)度＞λ/20 的長(zhǎng)線，如顯示屏排線、按鍵線）。

高頻信號(hào)（＞10MHz）：采用銅箔+ 導(dǎo)電膠復(fù)合屏蔽膜（厚度≥35μm），屏蔽效能≥80dB（30~1000MHz），推薦 3M 1181系列（導(dǎo)電膠層電阻≤0.01Ω/sq）；

低頻信號(hào)（＜10MHz）：采用鋁箔+ 聚酯薄膜屏蔽膜（厚度 25μm），成本更低，適合電源走線，如 3M 425 系列。

全包裹屏蔽：激光二極管（LD）與驅(qū)動(dòng)芯片（如 APD 驅(qū)動(dòng)電路）之間的差分信號(hào)線（長(zhǎng)度通常 5~15cm）需用屏蔽膜360° 包裹，形成封閉屏蔽腔；

接地處理：屏蔽膜兩端通過多點(diǎn)接地（每端至少2 個(gè)接地焊盤）連接至主板地平面，接地阻抗≤0.5Ω；

細(xì)節(jié)優(yōu)化：屏蔽膜接縫處重疊≥5mm，用導(dǎo)電膠壓實(shí)，避免縫隙泄漏（縫隙＞λ/100 時(shí)屏蔽效能驟降）。

排線屏蔽：顯示屏與主板的 FPC 排線表面覆蓋屏蔽膜，屏蔽膜與 FPC 接地層通過導(dǎo)電膠連續(xù)連接；

屏蔽層隔離：在屏蔽膜內(nèi)側(cè)增加 0.1mm 厚吸波材料（如鐵氧體薄片），吸收內(nèi)部反射信號(hào)，降低二次輻射。

局部屏蔽：MCU 至晶振（20~50MHz）的短線（＜3cm）采用 “屏蔽膜 + 接地圍壩” 設(shè)計(jì)，在 PCB上圍繞時(shí)鐘線鋪設(shè) 2mm 寬接地銅皮，屏蔽膜覆蓋后與圍壩焊接。

分區(qū)設(shè)計(jì)：將主板劃分為“激光發(fā)射區(qū)”“數(shù)字處理區(qū)”“電源區(qū)”，各區(qū)之間用接地隔離帶（寬度≥5mm）分隔，減少跨區(qū)干擾；

走線規(guī)則：

高速信號(hào)線（如激光調(diào)制線）長(zhǎng)度≤10cm，且遠(yuǎn)離 PCB 邊緣（距離≥3mm），避免邊緣輻射；

時(shí)鐘線、SPI 線采用差分走線（阻抗 50Ω±10%），線間距≤2 倍線寬，降低差模輻射。

信號(hào)端濾波：在激光驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端串聯(lián)高頻磁珠（如Murata BLM18PG102SN1，100MHz 時(shí)阻抗≥100Ω），并聯(lián) 100pF NP0 電容（X7R材質(zhì)）接地；

電源噪聲抑制：DC-DC 輸出端增加 π 型濾波器（10μH 疊層電感 + 100nF 陶瓷電容×2），抑制開關(guān)噪聲傳導(dǎo)至數(shù)字電路。

混合接地：＜30MHz 信號(hào)采用單點(diǎn)接地（通過 0Ω 電阻連接各分區(qū)地），＞30MHz信號(hào)采用多點(diǎn)接地（地平面直接連接）；

地平面完整性：數(shù)字地與模擬地通過 “星形接地” 匯合，避免地環(huán)路面積＞5cm2（環(huán)路面積越大，輻射越強(qiáng)）。

30~230MHz：重點(diǎn)測(cè)試激光驅(qū)動(dòng)模塊屏蔽效果，若仍超標(biāo)（如 45dBμV/m），可在屏蔽膜外增加 1匝鎳鋅磁環(huán)（μi=2000）；

230~1000MHz：檢查高速信號(hào)線終端匹配（如 SPI 線上并聯(lián) 50Ω終端電阻），降低信號(hào)反射導(dǎo)致的高頻輻射。

測(cè)試 “滿電 + 大測(cè)距模式”（此時(shí)激光功率、數(shù)字電路負(fù)載均大）下的輻射發(fā)射，確保全工況達(dá)標(biāo)；

模擬手持狀態(tài)（人體接觸主板外殼）測(cè)試，人體等效接地可能改變輻射特性，需調(diào)整屏蔽膜接地方式（如增加彈性導(dǎo)電泡棉確保良好接觸）。