GB/T17743-2017《電氣照明和類似設(shè)備的電磁兼容發(fā)射要求》是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(等同采用CISPR15:2015),針對(duì)燈具、LED驅(qū)動(dòng)等照明設(shè)備的電磁干擾(EMI)限值及測(cè)試方法。以下是3項(xiàng)核心檢測(cè)項(xiàng)目的專業(yè)解析:
1.插入損耗(Insertion Loss)
定義與技術(shù)意義
· 物理含義:人工電源網(wǎng)絡(luò)(AMN)在特定頻率下的阻抗特性衰減值,用于校準(zhǔn)測(cè)試系統(tǒng)的基準(zhǔn)參數(shù)。
· 核心作用:確保騷擾電壓測(cè)試時(shí),電網(wǎng)背景噪聲被有效隔離,保證數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。
測(cè)試要求
參數(shù) | 規(guī)范 |
測(cè)試頻率 | 9kHz ~30MHz |
測(cè)試設(shè)備 | 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA) |
校準(zhǔn)網(wǎng)絡(luò) | 50Ω/50μH + 5ΩV型AMN(GB/T 6113.102) |
限值要求 | 實(shí)測(cè)值需符合AMN出廠校準(zhǔn)曲線±1dB容差 |
示例:
在1MHz頻率點(diǎn),標(biāo)準(zhǔn)AMN插入損耗應(yīng)為 20dB±1dB。若實(shí)測(cè)19dB→ 系統(tǒng)需重新校準(zhǔn)。
2.騷擾電壓(Disturbance Voltage)
測(cè)試原理與限值
· 測(cè)量對(duì)象:電源端子(L/N線)與保護(hù)接地(PE)間的共模騷擾電壓。
· 限值分級(jí):
設(shè)備類型 | 頻率范圍 | 準(zhǔn)峰值限值(dBμV) |
燈具(Class B) | 9kHz ~50kHz | 95 ~85(遞降曲線) |
| 50kHz ~150kHz | 85 ~ 66 |
| 150kHz ~30MHz | 66 ~ 60 |
LED驅(qū)動(dòng)(ClassA) | 全頻段 | 限值放寬10dB |
測(cè)試配置
graph LR
A[受測(cè)設(shè)備EUT]--> B[人工電源網(wǎng)絡(luò)AMN]
B -->C[EMI接收機(jī)]
C -->D[數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)]
· 關(guān)鍵設(shè)備:
o AMN(V型50Ω/50μH + 5Ω)
o EMI接收機(jī)(分辨率帶寬9kHz)
· 測(cè)試距離:EUT邊界80cm內(nèi)無(wú)金屬物體
3.輻射電磁騷擾(Radiated Electromagnetic Disturbance)
測(cè)試方法與限值
· 測(cè)量對(duì)象:設(shè)備輻射的30MHz~ 300MHz高頻電磁場(chǎng)。
· 兩種測(cè)試場(chǎng)地:
場(chǎng)地類型 | 適用標(biāo)準(zhǔn) | 限值差異 |
電波暗室(SAC) | GB/T6113.104 | Class B:30dBμV/m @3m |
替代法(CDN) | GB/T 17743附錄C | ClassB:34dBμV/m(等效3m) |
核心測(cè)試流程
1. 預(yù)掃:全頻段快速掃描定位超標(biāo)點(diǎn)(如248MHz)
2. 精測(cè):對(duì)超標(biāo)點(diǎn)進(jìn)行準(zhǔn)峰值(QP)和平均值(AVG)雙模式測(cè)量
3. 判定:
· QP值 ≤ 限值
· AVG值 ≤ QP限值 - 10dB
場(chǎng)地校準(zhǔn)要求
參數(shù) | 標(biāo)準(zhǔn) |
背景噪聲 | ≤限值 - 6dB(30MHz ~300MHz) |
場(chǎng)地衰減 | NSA與理論值偏差≤±3dB |
技術(shù)突破點(diǎn)(2017版更新)
項(xiàng)目 | GB/T17743-2017革新 | 舊版差異 |
LED驅(qū)動(dòng)測(cè)試 | 新增工作模式(調(diào)光/非調(diào)光) | 舊版未區(qū)分 |
頻率范圍 | 擴(kuò)展至300MHz(舊版30MHz) | 覆蓋更廣 |
替代法測(cè)試 | 明確CDN直接注入法(附錄C) | 僅暗室測(cè)試 |
典型不合格案例分析
超標(biāo)頻點(diǎn) | 可能原因 | 整改措施 |
150kHz ~1MHz | 整流二極管反向恢復(fù) | 增加RC吸收電路 |
30MHz ~100MHz | 開(kāi)關(guān)管dV/dt過(guò)高 | 優(yōu)化MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 |
200MHz ~300MHz | PCB天線效應(yīng) | 縮短高頻回路 +加磁珠 |
測(cè)試報(bào)告關(guān)鍵內(nèi)容
1. 插入損耗校準(zhǔn)曲線(9kHz~30MHz)
2. 騷擾電壓頻譜圖(標(biāo)注QP/AVG值)
3. 輻射騷擾數(shù)據(jù)表(含3m場(chǎng)強(qiáng)與CDN法對(duì)比)
4. 工作模式說(shuō)明(如調(diào)光深度100%~10%)
應(yīng)用示例:
40WLED路燈EMC測(cè)試:
· 插入損耗:148kHz處實(shí)測(cè)21.2dB(標(biāo)準(zhǔn)20dB±1→ 合格)
· 騷擾電壓:1MHz點(diǎn)QP值62dBμV(限值66dBμV→ 合格)
· 輻射騷擾:89MHz點(diǎn)CDN法34.5dBμV/m(限值34dBμV/m→ 超標(biāo)0.5dB需整改)
認(rèn)證提示:
· 出口歐盟需同步滿足 EN55015(限值同CISPR15);
· 北美市場(chǎng)需符合 FCC Part18(輻射限值更嚴(yán)格)。
附:關(guān)鍵限值曲線簡(jiǎn)化表(Class B)
頻率 | 騷擾電壓QP限值 | 輻射騷擾限值(3m) |
100kHz | 85dBμV | - |
1MHz | 66dBμV | - |
30MHz | - | 30dBμV/m |
100MHz | - | 33dBμV/m |
300MHz | - | 37dBμV/m |