結構與性能

晶體結構：屬六方點陣，空間群是 P6?/mmc，晶格常數(shù)為 a=0.306nm，c=1.766m。其結構可描述為 Si原子構成的 Si 原子面，Si 原子面之間由 SiC 八面體聯(lián)結1。

力學性能：具有較高的屈服強度，楊氏模量為 326GPa，維氏硬度為 6GPa，四點彎曲強度為 450MPa，抗熱震溫度達1400℃，且熱震后強度未發(fā)現(xiàn)降低，同時在高溫下具有很好的塑性1。

物理性能：熔點超過 3000℃，理論密度是 4.53g/cm3，常溫下具有高熱導率和高電導率，室溫電導率為4.5x10?S/m，高于 Ti 和 TiC，而且隨溫度降低而增加，與石墨極為相似1。

化學性能：具有良好的抗氧化、抗熱震性能和耐腐蝕性能，在 1000℃的拋物氧化速率指數(shù)為K=2x10??kg2?m???s?1，可與金屬的抗氧化性相比擬，表面氧化產物為金紅石（TiO?）和氧化硅（SiO?）1。

制備方法

固液相反應法：以 Si、Ti、石墨粉及 NaF 或 AlF??NaF 為原料，氟化物加入量為2～10wt％，Si、Ti、C 以原子比 3∶1∶2 的化學計量加入，在惰性氣氛下 1200～1300℃，保溫 1～4 小時反應生成Ti?SiC?3。

氣相沉積法：用 SiCl?、TiCl?、CCl?和 H?做原料，通過氣相沉積法制備 Ti?SiC?，但該方法合成的Ti?SiC?中常含有 TiC 或 Ti?Si?、TiSi?等雜質，且不適于工業(yè)化規(guī)模3。

自蔓延反應法：選擇 Ti、Si 和碳黑為原料，用自蔓延反應方法合成Ti?SiC?，不過反應溫度及化學成分難于精確控制3。

電弧熔化法：以 Ti、Si和碳黑為原料，用電弧熔化法和后退火處理制備塊狀材料，但同樣存在雜質問題，且不適用于大規(guī)模生產3。

應用領域

航空航天領域：因其高溫強度與抗氧化、抗熱震等性能優(yōu)于Si?N?，有可能用于未來航空發(fā)動機制作導向葉片或渦輪葉片1。

能源領域：可作為氣冷快堆中核燃料的包殼材料，其抗輻射損傷能力使其在第四代核反應堆中具有廣闊的應用前景1。

機械領域：由于具有良好的耐磨性和自潤滑性能，可用于制造機械滑動部件，如軸承、齒輪等，還可用作交流電機的電刷，其電導率是石墨的二倍，具有明顯優(yōu)越性1。

電子電氣領域：高電導率和良好的抗氧化性能使其可用于制作金屬熔煉的電極材料，也可應用于電磁干擾屏蔽領域1。

醫(yī)療領域：在牙科種植體和修復體方面有應用潛力，其良好的生物相容性和力學性能有助于在口腔修復中發(fā)揮作用。