隨著第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）的快速發(fā)展，多孔石墨（PG/EM3）作為關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長(zhǎng)工藝中。多孔石墨具有獨(dú)特的孔隙結(jié)構(gòu)、高純度、耐高溫和良好的熱穩(wěn)定性，能夠顯著改善SiC晶體的生長(zhǎng)環(huán)境，提升晶體質(zhì)量。

產(chǎn)品特性

高純度：純度高，雜質(zhì)含量低，滿足SiC晶體生長(zhǎng)對(duì)材料的高純度要求。

多孔結(jié)構(gòu)：具有大孔、介孔和微孔相結(jié)合的多級(jí)孔隙結(jié)構(gòu)，能夠有效調(diào)節(jié)氣相組分，促進(jìn)物質(zhì)輸運(yùn)，減少晶體缺陷。

耐高溫：可在2000℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定使用，適用于SiC晶體生長(zhǎng)的極端條件。

熱穩(wěn)定性：能夠平衡生長(zhǎng)環(huán)境的溫度分布，減少熱應(yīng)力對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響。

定制化：可根據(jù)客戶的具體需求，定制不同尺寸和孔隙結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品。

應(yīng)用領(lǐng)域

SiC晶體生長(zhǎng)：作為長(zhǎng)晶爐中的關(guān)鍵材料，多孔石墨板能夠改善晶體生長(zhǎng)環(huán)境，減少微管和其他缺陷，提升晶體質(zhì)量。

高溫隔熱材料：用于SiC生長(zhǎng)爐的隔熱層，提高熱效率，降低能耗。

半導(dǎo)體制造：適用于離子注入、CVD等高溫工藝中的隔熱和支撐部件。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

優(yōu)化晶體生長(zhǎng)：多孔石墨能夠有效調(diào)節(jié)生長(zhǎng)環(huán)境中的C/Si比，減少相變的發(fā)生，提升晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性。

降低研發(fā)成本：通過優(yōu)化生長(zhǎng)環(huán)境，減少晶體缺陷，降低SiC晶體生長(zhǎng)的研發(fā)成本。

提高原料利用率：多孔石墨能夠促進(jìn)原料的充分升華和利用，提高原料的有效利用率。

公司優(yōu)勢(shì)

經(jīng)驗(yàn)：多年專注于第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)，積累了豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。

技術(shù)支持：提供的技術(shù)咨詢和定制化解決方案，滿足客戶的個(gè)性化需求。

：嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)流程，確保產(chǎn)品符合