TOF-SIMS是一種靈敏的表面分析技術，采用一次的脈沖離子源激發(fā)固體表面的原子和分子基團脫附或離化，所產(chǎn)生的二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測器的時間不同而分離，從而測定離子質(zhì)量，是一項具有極高分辨率的測量技術。

TOF-SIMS廣泛應用于物理、化學、微電子、生物、制藥、空間分析等領域，可提供電池、金屬、礦物等材料表面的化學組成及形貌信息，主要包括質(zhì)譜測試、面掃、深度剖析及對應的數(shù)據(jù)分析。

TOF-SIMS分析特點：

TOF-SIMS可分析所有導體、半導體、絕緣材料，對于材料及產(chǎn)品表面成分及分布，表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結構或鍍膜成分、表面異物殘留(如污染物、顆粒物、腐蝕物等)、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷(劃痕、凸起)等有很好的表征能力。

TOF-SIMS主要用途：

TOF-SIMS被廣泛應用于各種材料開發(fā)，材料剖析，多層膜或結構剖析與失效機理的研究分析，研發(fā)領域如半導體器件、納米器件、生物醫(yī)藥、量子結構、能源電池材料等；高新技術如高分子材料、金屬、半導體、玻璃陶瓷、納米鍍層、紙張、薄膜纖維等。

TOF-SIMS應用場景：

(1)當產(chǎn)品表面存在微小的異物，而常規(guī)的成分測試方法無法準確對異物進行定性定量分析，可選TOF-SIMS進行分析，其可分析≥10μm直徑的異物成分。

(2)當產(chǎn)品表面膜層太薄，無法使用常規(guī)測試進行成分分析，可選TOF-SIMS進行分析，其可定性分析膜層的成分。

(3)當產(chǎn)品表面出現(xiàn)異物，但無法確定異物的種類，利用TOF-SIMS進行分析，不僅可分析出異物所含元素，還可分析出異物的分子式。

(4)當膜層與基材截面出現(xiàn)分層等問題，但無法觀察到明顯的異物痕跡，可使用TOF-SIMS分析表面痕量物質(zhì)成分分析，從而確定截面是否被污染，檢出限可達ppm級別。