晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有npn和pnp兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用Zui多的是硅npn和鍺pnp兩種三極管，（其中，n表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹npn硅管的電流放大原理。

　　對于npn管，它是由2塊n型半導體中間夾著一塊p型半導體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的pn結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的pn結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。

　　當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而c點電位高于b點電位幾伏時，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源ec要高于基極電源ebo。

　　在制造三極管時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）極基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流了。

　　由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進入集電區(qū)而形成集電集電流ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合，被復合掉的基區(qū)空穴由基極電源eb重新補給，從而形成了基極電流ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得：

　　ie=ib+ic

　　這就是說，在基極補充一個很小的ib，就可以在集電極上得到一個較大的ic，這就是所謂電流放大作用，ic與ib是維持一定的比例關(guān)系，即：

　　β1=ic/ib

　　式中：β1--稱為直流放大倍數(shù)，

　　集電極電流的變化量△ic與基極電流的變化量△ib之比為：

　　β= △ic/△ib

　　式中β--稱為交流電流放大倍數(shù)，由于低頻時β1和β的數(shù)值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區(qū)分，β值約為幾十至一百多。

　　三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/p>

　　三極管放大時管子內(nèi)部的工作原理

　　1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子

　　電源ub經(jīng)過電阻rb加在發(fā)射結(jié)上，發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子）不斷地越過發(fā)射結(jié)進入基區(qū)，形成發(fā)射極電流ie。同時基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴散，但由于多數(shù)載流子濃度遠低于發(fā)射區(qū)載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發(fā)射結(jié)主要是電子流。

　　2、基區(qū)中電子的擴散與復合

　　電子進入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴散，被集電結(jié)電場拉入集電區(qū)形成集電極電流ic。也有很小一部分電子（因為基區(qū)很?。┡c基區(qū)的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。

　　3、集電區(qū)收集電子

　　由于集電結(jié)外加反向電壓很大，這個反向電壓產(chǎn)生的電場力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴散，同時將擴散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子（空穴）也會產(chǎn)生漂移運動，流向基區(qū)形成反向飽和電流，用icbo來表示，其數(shù)值很小，但對溫度卻異常敏感。

本產(chǎn)品的應用范圍是微波，品牌是國產(chǎn)，進口，型號是場效應管FGA25N120，材料是硅(Si)，封裝形式是直插型，集電極Zui大耗散功率PCM是場效應管FGA25N120，集電極Zui大允許電流ICM是場效應管FGA25N120，極性是NPN型，截止頻率fT是場效應管FGA25N120，結(jié)構(gòu)是面接觸型，封裝材料是金屬封裝