退膜機-反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備：

主要原理：

· 通入刻蝕室的工藝氣體分子分解電離，產(chǎn)生等離子體；

· 由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；

·通過脈沖/射頻電源，使等離子體中的正離子對被刻蝕材料表面進行物理轟擊，從而以物理、化學(xué)相結(jié)合的方法對材料表面，進行清潔、改性、刻蝕的目的。

應(yīng)用領(lǐng)域-可刻蝕材料：

· 可褪碳基薄膜，可作為DLC/Ta-C薄膜的褪膜機使用；

·可刻蝕材料:金屬，非金屬，合金，電子元器件(單晶硅、非晶硅、多晶硅、SOI)，金屬氧化物，氮化物碳化物，陶瓷，聚合物，超導(dǎo)材料等；

·可應(yīng)用在:3C消費電子，電子元器件，光學(xué)，交通工具，刀具模具，家電，新能源，科研等行業(yè)。