發(fā)現(xiàn)lpp光源產(chǎn)生極深紫外激光（euv）需要用co2激光器的過(guò)程：

       （1）為了制造集成度更高的電路，人們?cè)诜e極尋找下一代光刻(ngl)光源。目前工業(yè)界確定的下一代光刻光源是波長(zhǎng)為13.5nm的極端遠(yuǎn)紫外(euv)光源，它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸，理論上可達(dá)22nm以下。
        （2）盡管目前實(shí)驗(yàn)型的euv曝光光刻設(shè)備使用的是低功率輝光放電等離子體（dpp）光源，但是它不能夠滿足大規(guī)模量產(chǎn)的需求。而激光等離子體（lpp）光源由于其具備高功率輸出的優(yōu)勢(shì)Zui有希望擔(dān)負(fù)起euv光刻技術(shù)量產(chǎn)的大任。
        lpp光源產(chǎn)生euv（波長(zhǎng)：13.5nm）的原理在于用激光照射在包括氙、錫或鋰在內(nèi)的原材料，通過(guò)激發(fā)可以得到高能電離等離子體。通過(guò)研究各種不同激光波長(zhǎng)和被照射原材料的組合，Zui后發(fā)現(xiàn)co2激光與錫液體微滴靶的組合具有的轉(zhuǎn)換效率。因此，一套具有實(shí)際生產(chǎn)價(jià)值的euv光源系統(tǒng)必須包括co2激光器、錫液體微滴生成器、收集光路和碎屑過(guò)濾消除裝置等部分。 

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