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SEM&EDS分析對于NG品,根據(jù)所測接點(diǎn)電阻的結(jié)果,選取B接點(diǎn)接觸電阻值高的2個繼電器,對于2種OK品,每種任選2個繼電器,在不污染觸點(diǎn)及其周圍的前提下,將樣品進(jìn)行拆分后,用SEM&EDS分析拆分后樣品的觸點(diǎn)及周圍異物的元素成分。觸點(diǎn)位置標(biāo)示如圖3所示。所檢3種樣品共6個繼電器的觸點(diǎn)中,NG品的觸點(diǎn)及觸點(diǎn)周圍檢出大量的含碳(C)、氧(O)、硅(Si)等元素的異物,而OK品的觸點(diǎn)表面未檢出異物。典型圖片如圖4、圖5所示。
圖3 觸點(diǎn)位置標(biāo)識(D指觸點(diǎn)C反面)
圖4 NG樣品觸點(diǎn)周圍異物SEM&EDS檢測結(jié)果典型圖片
圖5 OK樣品觸點(diǎn)的SEM&EDS檢測結(jié)果典型圖片
2.3 FT-IR分析
在不污染各部件的前提下,將2.2條款中剩下的繼電器進(jìn)行拆分,并將拆分后的部件分成3組,即A組(接點(diǎn)、彈片(可動端子、固定端子))、B組(鐵片、鐵芯、支架、卷軸)、C組(漆包線),分別將A、B、C組部件裝入干凈的瓶中,見圖6所示,處理后用FT-IR分析萃取物的化學(xué)成分,確認(rèn)其是否含有有機(jī)硅。
電子元器件的失效分析 , 鹽霧試驗(yàn)測試公司
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