芯片的背部減薄制程

磊晶之后的藍寶石基板就成為了外延片，外延片在經過蝕刻、蒸鍍、電極制作、保護層制作等一系列復雜的半導體制程之后，太陽能組件回收，還需要切割成一粒粒的芯片，根據(jù)芯片的大小，朝陽組件回收，一片2英寸的外延片可以切割成為數(shù)千至上萬個CHIP。前文講到此時外延片的厚度在430um附近，由于藍寶石的硬度以及脆性，普通切割工藝難以對其進行加工。目前普遍的工藝是將外延片從430um減薄至100um附近，然后再使用鐳射進行切割。

電池片的種類　　

1、太陽能

在太陽能電池產品中，以硅半導體材料為主，其中又以單晶硅和多晶硅為代表。由于其原材料的廣泛性，較高的轉換效率和可靠性，被市場廣泛接受。非晶硅在民用產品上也有廣泛的應用（如電子手表，計算器等），但是它的穩(wěn)定性和轉換效率劣于結晶類半導體材料?；衔锾柲茈姵赜捎谄洳牧系南∮行院筒糠植牧暇哂泄?，現(xiàn)階段未被市場廣泛采用。太陽能電池的主品的材料是半導體硅，是現(xiàn)代電子工業(yè)的的材料，同時以氧化狀態(tài)的硅原料是世界上第二大的儲藏物質。

2、五金

五金電池片主要是導電作用。還稱：電池片、遙控器電池片、電池接觸片、電池彈、電池扣、鍋仔片、、接觸片、彈片、彈、電池夾片，電極片。主要用于遙控器、電子玩具、計算器、計步器、麥克風、電話機、錄音機、收音機、音響、照相機、燈飾等行業(yè)。

鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%，多晶組件回收，為了減少表面反射，提高電池的轉換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產中常采用PECVD設備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價電子數(shù)為4，序數(shù)適中，所以硅元素具有特殊的物理化學性質，可用在化工、光伏、芯片等領域。特別是在芯片領域，組件板回收，正式硅元素的半導體特性，使其成為了芯片的基石。在光伏領域，可用于太陽能發(fā)電。而且地球的地殼中硅元素占比達到25.8%，開采較為方便，可回收性強，所以價格低廉，進-步增強了硅的應用范圍。

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