用激光來劃片切割硅片是目前*為先進的，它使用精度高、而且重復精度也高、工作穩(wěn)定、速度快。

激光*大輸出≧50W（可調(diào)）、激光波長為1.064μm、切割厚度≦1.2mm、光源是用Nd：YAG晶體組成激光器、是單氪燈連續(xù)泵浦、聲光調(diào)Q、并用計算機控制二維工作臺可預先設(shè)定的圖形軌跡作各種**運動。

傳統(tǒng)硅片切割方式是機械切割，速度慢、斷面平整性差、碎片多、不環(huán)保。硅是一種脆性材料，機械切割極易使邊緣產(chǎn)生破裂，造成硅表面彈性應變區(qū)、位錯網(wǎng)絡(luò)區(qū)和碎晶區(qū)的組成層損傷，甚至可能造成隱形裂紋，影響電性參數(shù)等危害。激光切割技術(shù)具有無接觸、無機械應力、切縫寬度小、斷面平整光滑、精度高、速度快、性能穩(wěn)定等優(yōu)勢；不會損傷硅片結(jié)構(gòu)，電性參數(shù)要優(yōu)于傳統(tǒng)的機械切割方式，可應用于大面積電池片進行劃線切割，做到**控制切割精度及厚度，進一步減少切割碎屑，提高電池利用率。

激光切割硅片應用行業(yè)：

半導體集成電路，包括單雙臺面玻璃鈍化二極管晶圓切割劃片，單雙臺面可控硅晶圓切割劃片，砷化鎵，氮化鎵，IC晶圓切割劃片。