1、IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源，加少量料即可達(dá)到滿功率輸出,并且始終保持不變，所以熔化速度快；因逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓 高，所以IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；

IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且一直工作在500V,所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小，對電網(wǎng)產(chǎn)生污染低。

2、節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能

15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面：

A、逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V,而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V,電流小了近4倍，線路損耗大大降低。

B、功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98,無功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%o

由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個工作過程功率因數(shù)始終大于0.98,無功率損耗小。

C、爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個過程的3%,所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。

3、高次諧波干擾：高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時可控硅產(chǎn)生的毛刺 電壓，會嚴(yán)重污染電網(wǎng)，導(dǎo)致其他設(shè)備無法正常工作，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在，不調(diào)導(dǎo)通角,所以它不會產(chǎn)生高次諧波，不會污染電網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會干擾工 廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。

4、恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時，更顯示它的優(yōu)越性，熔化速度快，爐料元素?zé)龘p少，降低鑄造成本。